一种阻容与芯片集成封装制备方法技术

本发明专利技术公开一种阻容与芯片集成封装制备方法，属于晶圆级扇出型封装领域。将芯片与阻容贴装在临时键合载板上；通过模封料将临时键合载板上的芯片与阻容注塑成型，重构形成新的圆片；将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；在再布线和引出焊盘层上进行晶圆级凸点制备，完成封装模组信号引出；对圆片背面减薄，通过划片完成单个芯片与阻容一体化集成的封装模组。本发明专利技术通过晶圆级扇出型封装技术可以实现多个阻容或者芯片与阻容的多功能和高密度集成，具备模块尺寸减小，模块集成度提高，节省基板外层空间等优点。基板外层空间等优点。基板外层空间等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种阻容与芯片集成封装制备方法


[0001]本专利技术涉及晶圆级扇出型封装
，特别涉及一种阻容与芯片集成封装制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆级扇出型封装是“后摩尔时代”下一种新兴战略和主导的封装技术，其主要技术思路是通过芯片重构技术，将芯片模塑形成新的圆片，然后通过沉积再布线和制备微凸点实现信号的引出。得益于通过模塑技术扩大了芯片尺寸，扇出型封装提供更多的连接到板的输入输出端。目前集成电路发展的趋势是轻、薄、小、高密度、多功能集成，晶圆级扇出型封装能很好的满足以上封装趋势需求。
[0003]在集成电路封装中，为保证电路高频信号的输入输出，需要为其配置电阻和电容等器件。随着集成电路向多功能、高密度、小型化的急速发展，一颗高端复杂的集成电路上需要配置多颗阻容。目前传统的阻容贴装方法是表面贴装技术，阻容器件蘸取焊料后贴装在封装基板表面，再通过回流工艺进行焊接。传统阻容表贴的方式，贴装位置离散，面积浪费多，集成度不高，占用基板空间。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种阻容与芯片集成封装制备方法，以解决传统阻容贴装工艺中贴装位置离散，浪费空间多，集成度不高的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阻容与芯片集成封装制备方法，包括：
[0006]将芯片与阻容贴装在临时键合载板上；
[0007]通过模封料将临时键合载板上的芯片与阻容注塑成型，重构形成新的圆片；
[0008]将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；
[0009]在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；
[0010]在再布线和引出焊盘层上进行晶圆级凸点制备，完成封装模组信号引出；
[0011]对圆片背面减薄，通过划片完成单个芯片与阻容一体化集成的封装模组。
[0012]本专利技术提供了一种阻容与芯片集成封装制备方法，包括：将阻容贴装在临时键合载板上；
[0013]通过模封料将临时键合载板上的阻容注塑成型，重构形成新的圆片；
[0014]将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；
[0015]在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；
[0016]在再布线和引出焊盘层上进行晶圆级凸点制备，完成阻容封装模组的信号引出；
[0017]对圆片背面减薄，通过划片完成单个阻容一体化集成的阻容封装模组；
[0018]将倒装芯片与阻容封装模组通过表面凸点倒装焊在封装基板上，最后用塑封料包覆倒装芯片与阻容封装模组完成最终封装。
[0019]本专利技术提供了一种阻容与芯片集成封装制备方法，包括：
[0020]将阻容贴装在临时键合载板上；
[0021]通过模封料将临时键合载板上的阻容注塑成型，重构形成新的圆片；
[0022]将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；
[0023]在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；
[0024]对圆片背面减薄，通过划片完成单个阻容一体化集成的阻容封装模组；
[0025]倒装芯片通过倒装焊工艺焊在封装基板上、阻容封装模组通过表面键和指进行金属引线的键合工艺与封装基板相连；
[0026]最后用塑封料包覆倒装芯片与阻容封装模组完成最终封装。
[0027]在本专利技术提供的一种阻容与芯片集成封装制备方法中，通过晶圆级扇出型封装技术可以实现多个阻容或者芯片与阻容的多功能和高密度集成，具备模块尺寸减小，模块集成度提高，节省基板外层空间等优点。
附图说明
[0028]图1是芯片和阻容在临时键合载板上装片示意图；
[0029]图2是芯片和阻容模塑形成圆片示意图；
[0030]图3是临时键合载板解键合后示意图；
[0031]图4是重构圆片完成再布线和引出端焊盘示意图；
[0032]图5是完成焊盘上凸点制备示意图；
[0033]图6是减薄划片形成单颗封装模组示意图；
[0034]图7是多颗阻容完成扇出型封装示意图；
[0035]图8是减薄划片形成单颗阻容封装模组示意图；
[0036]图9是倒装芯片和阻容通过倒装焊与封装基板组装示意图；
[0037]图10是多颗阻容完成扇出型封装示意图；
[0038]图11是减薄划片形成单颗阻容封装模组示意图；
[0039]图12是倒装芯片通过倒装焊、阻容封装模组通过引线键合与封装基板组装示意图。
具体实施方式
[0040]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种阻容与芯片集成封装制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0041]实施例一
[0042]本专利技术实施例一提供了一种阻容与芯片集成封装制备方法，将芯片和阻容通过晶圆级扇出型封装技术形成多功能、一体化集成的封装单元；具体工艺制备步骤为：
[0043]步骤1：通过高精度装片技术将芯片101与阻容102贴装在临时键合载板103上，如图1所示；
[0044]步骤2：将模封料104通过模塑技术将临时键合载板103上的芯片101与阻容102注塑成型，重构形成新的圆片，所述模封料104完全覆盖所述芯片101和所述阻容102，如图2所
示；
[0045]步骤3：将所述临时键合载板103进行解键合，解键合后的一面(即圆片正面)用于后续再布线等加工，如图3所示；
[0046]步骤4：在圆片上通过光刻和电镀技术完成再布线和引出焊盘层105制备，如图4所示；
[0047]步骤5：在再布线和引出焊盘层105上进行晶圆级的凸点106制备，完成封装模组信号引出，如图5所示；
[0048]步骤6：对圆片背面减薄，通过划片完成单个芯片与阻容一体化集成的封装模组，如图6所示。
[0049]可选的，所述高精度装片时可选择芯片与阻容一体化集成形成封装模组，可选择仅将阻容一体化集成形成封装模组，见实施案例二。
[0050]可选的，阻容一体化集成后的引出方式可以是制备金属焊盘，通过凸点引出，可以是制备键和指，通过金属引线引出，见实施案例三。
[0051]实施例二
[0052]本专利技术实施例二提供了一种阻容与芯片集成封装制备方法，本实施例二仅将阻容通过晶圆级扇出型封装技术形成单颗封装模组，最终与芯片完成基板上的组装；具体工艺制备步骤为：
[0053]同实施案例一中步骤1～步骤5，通过晶圆级扇出的方法，完成多颗阻容封装模组信号引出，如图7所示；
[0054]对晶圆级封装圆片背面减薄，再通过划片完成多颗高密度集成的阻容封装模组，如图8所示；
[0055]倒装芯片201与阻容封装模组通过表面凸点倒装焊在封装基板202上，最后用塑封料203包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻容与芯片集成封装制备方法，其特征在于，包括：将芯片与阻容贴装在临时键合载板上；通过模封料将临时键合载板上的芯片与阻容注塑成型，重构形成新的圆片；将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；在再布线和引出焊盘层上进行晶圆级凸点制备，完成封装模组信号引出；对圆片背面减薄，通过划片完成单个芯片与阻容一体化集成的封装模组。2.一种阻容与芯片集成封装制备方法，其特征在于，包括：将阻容贴装在临时键合载板上；通过模封料将临时键合载板上的阻容注塑成型，重构形成新的圆片；将临时键合载板进行解键合，解键合后的正面用于后续再布线等工艺加工；在圆片正面通过光刻和电镀工艺完成再布线和引出焊盘层制备；在再布线和引出焊盘层上进行晶圆级...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁渊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：