扇出型封装结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种扇出型封装结构的制备方法，包括：提供衬底及载板，衬底与载板贴合，衬底包括若干封装区域，封装区域内形成有暴露载板的开口；提供待封装芯片，将待封装芯片置于开口内的载板上，待封装芯片的有源面朝向载板且待封装芯片的厚度小于开口的深度；在开口内形成散热结构，覆盖待封装芯片的侧壁及顶壁；移除载板，暴露待封装芯片的有源面，并在衬底及待封装芯片上形成重布线结构，与有源面连接以电性引出待封装芯片。本发明专利技术中，利用散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而使得扇出型封装结构具有较佳的散热效果。装结构具有较佳的散热效果。装结构具有较佳的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种扇出型封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着近年来集成电路的发展，集成电路封装也再不断的完善。芯片的特征尺寸逐渐小型化以满足摩尔定律的要求，虽然芯片特征尺寸减小，但是芯片内的电子元件数量却不断增加。为了实现芯片功能在产品终端的应用，在封装领域需要封装尺寸紧凑、有更多的输出终端I/O数量的封装技术。扇出型封装技术凭借其低成本、集成度高等优点脱颖而出。
[0003]但目前扇出型封装结构的散热问题还可进一步提高，特别是当采用大功率芯片时，基板散热问题逐渐凸显。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种扇出型封装结构的制备方法，以提高扇出型封装结构的散热效果。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供的扇出型封装结构的制备方法，包括：
[0006]提供衬底及载板，所述衬底与所述载板贴合，所述衬底包括若干封装区域，所述封装区域内形成有暴露所述载板的开口；
[0007]提供待封装芯片，将所述待封装芯片置于所述开口内的载板上，所述待封装芯片的有源面朝向所述载板且所述待封装芯片的厚度小于所述开口的深度；
[0008]在所述开口内形成散热结构，覆盖所述待封装芯片的侧壁及顶壁；
[0009]移除所述载板，暴露所述待封装芯片的有源面，并在所述衬底及所述待封装芯片上形成重布线结构，与所述有源面连接以电性引出所述待封装芯片。
[0010]可选的，在所述衬底上形成所述开口以暴露所述载板的步骤包括：
[0011]所述衬底包括相对的第一面及第二面，在所述第一面的若干封装区域形成若干凹槽，所述凹槽的深度大于所述待封装芯片的厚度；
[0012]从所述第二面减薄所述衬底至所述凹槽形成所述开口；
[0013]将所述衬底与所述载板键合。
[0014]可选的，形成所述散热结构的步骤包括：
[0015]形成绝缘层，覆盖所述衬底的表面、所述开口的内壁及所述待封装芯片显露的外壁；
[0016]形成第一散热层，覆盖所述绝缘层的表面，并填充至所述开口的上方；
[0017]以所述衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺，所述开口内的绝缘层及第一散热层构成所述散热结构，所述散热结构的表面与所述衬底的表面齐平。
[0018]可选的，所述衬底的材质包括硅，所述绝缘层的材质包括氧化硅。
[0019]可选的，所述第一散热层的材质包括铜，且在所述绝缘层与所述第一散热层之间还设有粘附层。
[0020]可选的，每个所述封装区域包括一个所述开口及一个所述待封装芯片，在形成所述重布线结构的过程中，对每个所述封装区域分别进行对准及曝光。
[0021]可选的，所述重布线结构包括依次形成的第一隔离材料层、第二隔离材料层、第一重布线层、第三隔离材料层、第四隔离材料层及第二重布线层，所述第一重布线层形成于所述第一隔离材料层及所述第二隔离材料层中，并与所述待封装芯片连接，所述第二重布线层形成于所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层中，并与所述第一重布线层连接。
[0022]可选的，在图形化所述第一隔离材料层及所述第二隔离材料层时，采用所述封装区域的标记并结合所述待封装芯片的图形进行对准及曝光，在图形化所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层时，采用所述封装区域的标记并结合所述第一重布线层的图形进行对准及曝光。
[0023]可选的，还与所述第一重布线层及所述第二重布线层同步形成第二散热层，所述第二散热层设于所述第二隔离材料层、所述第三隔离材料层及所述第四隔离材料层中且位于所述重布线结构的中间区域。
[0024]可选的，还在所述第二重布线层上形成导电连接件，所述导电连接件凸出所述隔离材料层的表面。
[0025]综上所述，本专利技术通过将衬底和载板贴合，衬底上形成有暴露载板的开口，再将待封装芯片置于衬底的开口内的载板上，并在开口内形成散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，接着，移除载板暴露待封装芯片的有源面，在待封装芯片的有源面上形成重布线结构以电性引出，从而制备扇出型封装结构，在上述扇出型封装结构中，散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而具有较佳的散热效果，而且，将散热结构填充于衬底的开口内，还可利用衬底所形成的框架抑制散热结构在散热时的应变，有利于扇出型封装结构在低应力下实现较佳的散热效果。
附图说明
[0026]本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。
[0027]图1是本实施例提供的扇出型封装结构的制备方法的流程图；
[0028]图2至15为本实施例提供的扇出型封装结构的制备方法的相应步骤对应的结构示意图。
[0029]附图中：
[0030]10
‑
衬底；10a
‑
第一面；10b
‑
第二面；11
‑
凹槽；12
‑
开口；13
‑
载板；20
‑
待封装芯片；21
‑
焊盘；20a
‑
有源面；20b
‑
无源面；31
‑
绝缘层；32
‑
第一散热层；30
‑
散热结构；41
‑
第一隔离材料层；41a
‑
中间区域；42
‑
第二隔离材料层；43
‑
第一沟槽；44
‑
第一重布线层；45
‑
第三隔离材料层；46
‑
第四隔离材料层；47
‑
第二重布线层；48
‑
第二散热层；49
‑
导电连接件。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部
分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0032]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
[0033]图1是本实施例提供的扇出型封装结构的制备方法的流程图。
[0034]如图1所示，本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底及载板，所述衬底与所述载板贴合，所述衬底包括若干封装区域，所述封装区域内形成有暴露所述载板的开口；提供待封装芯片，将所述待封装芯片置于所述开口内的载板上，所述待封装芯片的有源面朝向所述载板且所述待封装芯片的厚度小于所述开口的深度；在所述开口内形成散热结构，覆盖所述待封装芯片的侧壁及顶壁；移除所述载板，暴露所述待封装芯片的有源面，并在所述衬底及所述待封装芯片上形成重布线结构，与所述有源面连接以电性引出所述待封装芯片。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述开口以暴露所述载板的步骤包括：所述衬底包括相对的第一面及第二面，在所述第一面的若干封装区域形成若干凹槽，所述凹槽的深度大于所述待封装芯片的厚度；从所述第二面减薄所述衬底至所述凹槽形成所述开口；将所述衬底与所述载板键合。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述散热结构的步骤包括：形成绝缘层，覆盖所述衬底的表面、所述开口的内壁及所述待封装芯片显露的外壁；形成第一散热层，覆盖所述绝缘层的表面，并填充至所述开口的上方；以所述衬底的表面为研磨停止层执行研磨工艺，所述开口内的绝缘层及第一散热层构成所述散热结构，所述散热结构的表面与所述衬底的表面齐平。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质包括硅，所述绝缘层的材质包括氧化硅。5.根据权利要求3所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子玉，张卫，崔文菁，汪洋，王浩，陈琳，孙清清，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：