用于半导体封装的底胶填充方法、封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术揭示了一种用于半导体封装的底胶填充方法、封装结构的制作方法及封装结构，底胶填充方法包括：底胶添加：于电性连接的半导体器件与基板之间的第一区域周侧添加底胶，所述半导体器件内设置有连通所述第一区域的至少一通孔；底胶填充:控制所述通孔内的压力，使所述通孔处形成负压，进而促使所述底胶填充所述第一区域。通过控制通孔内负压，促使底胶在第一区域内流动，使得底胶填充满第一区域内空间，最后填充至通孔内，缩短了底胶的流动距离，填充于第一区域内的底胶不易形成空洞，同时可以通过控制负压来控制底胶的流速以及第一区域外周侧的底胶溢出长度，提升点胶效率和工程能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体封装的底胶填充方法、封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种用于半导体封装的底胶填充方法、封装结构的制作方法和封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(Fan
‑
out wafer level package，FOWLP)的封装结构广泛应用于半导体行业中。扇出型晶圆级封装的主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等。
[0003]以2.5D芯片封装为例，现有技术中的2.5D IC封装是将至少两块芯片通过扇出型封装集成为半导体器件，将半导体器件封装在基板上。但是，当半导体器件面积增加的时候，在半导体器件底部填充的过程中，半导体器件底部形成空洞及分层等风险也会随之增加，尤其是在半导体器件底部的中间位置，这带来了封装结构短路及可靠性不良等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于半导体封装的底胶填充方法、封装结构的制作方法和封装结构，以降低半导体器件底部焊接区域形成空洞的风险本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，包括：底胶添加：于电性连接的半导体器件与基板之间的第一区域周侧添加底胶，所述半导体器件内设置有连通所述第一区域的至少一通孔；底胶填充:控制所述通孔内的压力，使所述通孔处形成负压，进而促使所述底胶填充所述第一区域。2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，所述方法还包括：重复循环前述底胶添加和底胶填充步骤，直至所述底胶完全填充所述第一区域，并且至少部分底胶通过第一区域流入所述通孔内。3.根据权利要求2所述的用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，前述“至少部分底胶通过第一区域流入所述通孔内”具体为：流入所述通孔内底胶的高度超过所述通孔高度的一半，且所述底胶的高度不超出所述通孔远离所述第一区域的一侧。4.根据权利要求2所述的用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，所述底胶填充方法还包括：在每循环完成一次底胶添加和底胶填充步骤后，获取所述第一区域周侧各位置处的胶体量；然后根据各位置处的胶体量调节下一次添加于对应位置处的底胶量。5.根据权利要求1所述的用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，前述底胶填充步骤具体包括：提供具有吸嘴的抽气装置，使所述吸嘴覆盖于所述通孔远离所述第一区域的一侧；开启所述抽气装置而使得所述通孔内形成负压，促使底胶自第一区域周侧朝向通孔方向移动，进而填充于第一区域。6.根据权利要求1或5所述的用于半导体封装的底胶填充方法，其特征在于，前述底胶填充步骤还包括：控制所述负压直至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，李铢元，
申请(专利权)人：星科金朋半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：