半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备技术

本发明专利技术提供一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极和第一源极；低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极；其中，所述第一栅极和所述第二源极连接，所述第一源极和所述第二漏极连接，半导体器件的源极为所述第二源极，所述半导体器件的栅极为所述第二栅极，所述半导体器件的漏极为所述第一漏极。该半导体器件为共源共栅结构，结合了GaN开关速度快和SiC高击穿电压的优点，有效提升半导体器件的工作效率和工作可靠性。作可靠性。作可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)功率半导体可以在高开关频率的场景下工作，具有低功耗、长寿命、高频率、体积小、质量轻等优势，在轨交、通信及光伏领域具备较强的发展潜力。
[0003]几种SiC功率器件已经实现商业化，例如，结型场效应晶体管(Junction Field
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Effect Transistor，JFET)、金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET)等。与SiC MOSFET相比，SiC JFET具有更高的通道迁移率和更低的制造工艺要求，SiC JFET不含栅极氧化物的制备。但SiC JFET的正常工作可靠性低，安全风险大。
[0004]目前，SiC JFET的常关工作可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极和第一源极；低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极；其中，所述第一栅极和所述第二源极连接，所述第一源极和所述第二漏极连接，半导体器件的源极为所述第二源极，所述半导体器件的栅极为所述第二栅极，所述半导体器件的漏极为所述第一漏极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极区域和第一源极区域，所述第一栅极与所述第一栅极区域相连，所述第一源极与所述第一源极区域相连，所述第一栅极区域和所述第一源极区域之间设有第一突变结。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的工作模态包括第一正向阻断模态，在所述第一正向阻断模态下，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管断开，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管导通，所述半导体器件的漏源电压为所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管承受的电压。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的工作模态包括第二正向阻断模态，在所述第二正向阻断模态下，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管和所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管均断开，所述半导体器件的漏源电压为所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管和所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管承受的电压。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的工作模态包括第一正向导通模态，在所述第一正向导通模态下，所述低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管和所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管均导通。6.根据权利要求1
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5任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：