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本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管，所述高压耗尽型碳化硅结型场效应晶体管包括第一栅极、第一漏极和第一源极；低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，所述低...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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