半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子；介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一；电阻层，位于所述介质层上；第一连接部，所述第一连接部的一端与所述电阻层的一端电连接，所述第一连接部的另一端与所述第一共用层电连接。使用上述技术方案能够在半导体器件单位面积内形成电阻值更大的电阻，以缩小半导体器件的面积。以缩小半导体器件的面积。以缩小半导体器件的面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]电阻作为电子电路中不可或缺的元器件，在电路中起到了重要的作用。在生产芯片时，会根据设计要求形成满足电阻值需求的电阻。
[0003]现有技术在半导体器件中形成电阻时，通常需要通过增加电阻的长度以达到期望的电阻值。但是，通过增加电阻长度的方法增大电阻值，会导致电阻所占面积过大，使半导体器件的面积相对较大。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是在半导体器件单位面积内如何形成电阻值更大的电阻，以缩小半导体器件的面积。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子；介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一；电阻层，位于所述介质层上；第一连接部，所述第一连接部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子；介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一；电阻层，位于所述介质层上；第一连接部，所述第一连接部的一端与所述电阻层的一端电连接，所述第一连接部的另一端与所述第一共用层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第一电阻电极和第二电阻电极，所述第一电阻电极位于所述电阻层的另一端并与所述电阻层电连接，所述第二电阻电极位于所述第一共用层上并与所述第一共用层电连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一连接部靠近所述电阻层的一端，所述第二电阻电极靠近所述电阻层的另一端。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一共用层为基极层。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第二连接部，所述第二连接部的一端与所述第一共用层电连接，所述第二连接部的另一端与第二共用层电连接，所述第二共用层是所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一，所述第二共用层与所述第一共用层不同层。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第三连接部，所述第三连接部的一端与所述第二共用层电连接，所述第三连接部的另一端与第三共用层电连接，所述第三共用层是所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一，所述第三共用层与所述第一共用层不同层，所述第三共用层与所述第二共用层不同层。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：异质结双极型晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新宇，丁帼君，姜清华，黄玺，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：