氮化物半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及连接部件，将所述保护环连接于所述基板。板。板。

【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021－152133号(申请日：2021年9月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。


[0003]实施方式涉及氮化物半导体装置。

技术介绍

[0004]近年来，作为控制电流的开关器件，开发有氮化物半导体装置。氮化镓(GaN)等氮化物半导体与硅(Si)比较，载流子密度与电子迁移率较高，因此有能够实现效率较高的开关器件的可能性。在氮化物半导体装置中，要求提高动作的稳定性。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。
[0006]实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体装置，具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及连接部件，将所述保护环连接于所述基板。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，还具备第二控制电极，该第二控制电极设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一控制电极与所述第二电极之间。3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，还具备：绝缘膜，设于所述氮化物半导体层上，覆盖所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极；第一焊盘，设于所述绝缘膜上，与所述第一电极连接；第二焊盘，设于所述绝缘膜上，与所述第二电极连接；第一电容电极，连接于所述保护环，配置于所述第一焊盘的正下方，隔着所述绝缘膜的一部分而与所述第一焊盘对置；以及第二电容电极，连接于所述保护环，配置于所述第二焊盘的正下方，隔着所述绝缘膜的一部分而与所述第二焊盘对置，所述第一电容形成于所述第一焊盘与所述第一电容电极之间，所述第二电容形成于所述第二焊盘与所述第二电容电极之间。4.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，在所述氮化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈启，杉山亨，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：