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实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接...
该专利属于东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。

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