一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法，本发明专利技术的肖IGBT的第一表面采用肖特基结构，IGBT的第二表面上与肖特基结构的沟槽的正对的区域注入P

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法


[0001]本专利技术涉及IGBT
，尤其涉及一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法。

技术介绍

[0002]二极管在智能设备中具有广泛应用，常见的二极管包括肖特基二极管、FRD二极管。
[0003]肖特基二极管是常用的二极管结构，具有开关灵敏的优点，但肖特基二极管无法承受高电压。FRD二极管可以承受高电压，但开关反应慢。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是如何提提高二极管承受的电压及反应灵敏度，本专利技术提出一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法。
[0005]根据本专利技术实施例的肖特基和FRD集成的IGBT，所述IGBT的第一表面采用肖特基结构，所述IGBT的第二表面上与所述肖特基结构的沟槽的正对的区域注入P
+
，形成FRD结构，其余区域注入N
+
。
[0006]根据本专利技术实施例的IGBT的制备方法，所述制备方法用于制备如上所述的肖特基和FRD集成的IGBT，所述制备方法包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基和FRD集成的IGBT，其特征在于，所述IGBT的第一表面采用肖特基结构，所述IGBT的第二表面上与所述肖特基结构的沟槽的正对的区域注入P
+
，形成FRD结构，其余区域注入N
+
。2.一种IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求1所述的肖特基和FRD集成的IGBT，所述制备方法包括：S11，在硅基的第一表面制备沟槽；S12，对所述沟槽的表面进行氧化，生成氧化层；S13，在所述沟槽内填充多晶硅，并进行平坦化工艺；S14，在所述第一表面沉积层间介质层；S15，在所述第一表面制备接触孔；S16，在所述接触孔形成铂硅化合物，形成肖特基正极；S17，将所述第一表面键合至玻璃载板；S18，翻转所述硅基，在所述硅基的第二表面进行离子注入和高温回火，其中，正对所述沟槽的区域注入P
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，其余区域注入N
+
；S19，所述玻璃载板从所述硅基的第一表面解键合，并将所述硅基转移至载盘；S20，在所述第二表面制备金属层；S21，高温激活注入的离子；S22，将所述金属层蚀刻为金属块。3.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：S23，...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，朱亦峰，马晴，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：