一种氮化镓晶圆加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓晶圆加工工艺，属于半导体领域。一种氮化镓晶圆加工工艺，包括以下步骤：在陶瓷载板上形成沉积层；将氮化镓晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆固定连接在沉积层上；在晶圆的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板。进而从晶圆上移除陶瓷载板。进而从晶圆上移除陶瓷载板。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓晶圆加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种氮化镓晶圆加工工艺。

技术介绍

[0002]在氮化镓晶圆加工工艺中，现有的承载方式难以实现对于。例如玻璃载板键合或搭载晶圆时，在涉及到高温的工艺步骤中，键合剂会失效，而导致载板无法与晶圆保持键合。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种氮化镓晶圆加工工艺。
[0004]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0005]一种氮化镓晶圆加工工艺，包括以下步骤：
[0006]在陶瓷载板上形成沉积层；
[0007]将氮化镓晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆固定连接在沉积层上；
[0008]在晶圆的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；
[0009]在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；
[0010]通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板。
[0011]可选地，在晶圆的另一端面的加工过程中，借助陶瓷载板自有的多孔构造，从陶瓷载板远离晶圆的端面吸附固定晶圆；
[0012]在所述晶圆的背面布置铜种子层，并通过所述光阻覆盖所述晶圆的切割道处的所述的铜种子层；在未被光阻覆盖的铜种子层上形成铜金属块；去除光阻，并蚀刻切割道上方的铜种子层；
[0013]在所述铜种子层上形成铜金属块；
[0014]通过激光进一步切割所述切割道下端的部分晶圆；
[0015]将所述晶圆转移到模框上，并去除键合剂，移除所述的玻璃载板；
[0016]对所述晶圆进行裂片形成晶粒。
[0017]可选地，在沉积层周遭施加蚀刻剂的过程中，通过吸盘吸附固定玻璃载板。
[0018]可选地，所述的沉积层为二氧化硅。
[0019]可选地，所述蚀刻剂为氢氟酸。
[0020]本专利技术的有益效果：
[0021]本专利技术的工艺通过在陶瓷载板上形成沉积层，再使得沉积层与氮化镓晶圆之间形成永久键合，进而实现了晶圆的稳固搭载，并且能够在后续的金属工艺中保持晶圆与陶瓷载板的固定。并且，在涉及高温的工艺完成后，可以通过蚀刻去除沉积层，进而解除晶圆与陶瓷载板的固定。
附图说明
[0022]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0023]图1、2本申请的加工工艺流程图；
[0024]图3～6为本申请的另一些实施例中的工艺流程图。
[0025]图中标号对应部件如下：
[0026]1 陶瓷载板
[0027]2 沉积层
[0028]3 晶圆
[0029]4 金属
[0030]5 玻璃载板
[0031]6 粘合剂
[0032]7 吸盘
[0033]8 铜种子层
[0034]9 释放剂
[0035]10 光阻
[0036]11 铜金属块
[0037]13 模框
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]如图1～2所示，一种氮化镓晶圆3加工工艺，包括以下步骤：
[0040]在陶瓷载板1上形成沉积层2；
[0041]将氮化镓晶圆3的一端面贴合在陶瓷载板1的沉积层2上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆3固定连接在沉积层2上；
[0042]在晶圆3的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；
[0043]在晶圆3的另一端面上涂布键合剂6，并键合玻璃载板5；另外还可以在键合剂6上涂布释放剂9；
[0044]通过在沉积层2周遭施加蚀刻剂以去除沉积层2，进而从晶圆3上移除陶瓷载板1。
[0045]可选地，在晶圆3的另一端面的加工过程中，借助陶瓷载板1自有的多孔构造，从陶瓷载板1远离晶圆3的端面吸附固定晶圆3。
[0046]具体地说，通过在陶瓷载板1上形成沉积层2，再使得沉积层2与氮化镓晶圆3之间形成永久键合，进而实现了晶圆3的稳固搭载，并且能够在后续的金属工艺中保持晶圆3与陶瓷载板1的固定。并且，在涉及高温的工艺完成后，可以通过蚀刻去除沉积层2，进而解除晶圆3与陶瓷载板1的固定。
[0047]可选地，在沉积层2周遭施加蚀刻剂的过程中，通过吸盘7吸附固定玻璃载板5。
[0048]可选地，所述的沉积层2为二氧化硅。
[0049]可选地，所述蚀刻剂为氢氟酸。
[0050]在本专利技术的另一些实施例中，还公开了上述的工艺结构在后续的晶圆3背面的铜金属块11的形成方法，具体包括以下步骤：在所述晶圆3的背面布置铜种子层8，并通过所述光阻10覆盖所述晶圆3的切割道处的所述的铜种子层8。在未被光阻10覆盖的铜种子层8上形成铜金属块11。去除光阻10，并蚀刻切割道上方的铜种子层8，此时铜金属块11作为掩膜，未被铜金属块11覆盖的铜种子层8被蚀刻清除。
[0051]通过激光进一步切割所述切割道下端的部分晶圆3；将所述晶圆3转移到模框13上，并去除键合剂6，移除所述的玻璃载板5；对所述晶圆3进行裂片形成晶粒。
[0052]也就是说，在铜金属块11形成之前，就依据切割道的形状切断晶圆3背面的铜种子层8，那么，在后续形成的铜金属块11也是沿着晶粒成块分布，而不会在晶圆3的背面形成一整块的铜金属。通过此种方式，形成的相对小面积的铜金属块11，各个铜金属块11与晶圆3之间的应力相对较小，能够避免在整块铜金属与晶圆3之间产生不期望的应力，而导致晶圆3部分的破坏。
[0053]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0054]以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：在陶瓷载板上形成沉积层；将所述晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得所述晶圆固定连接在沉积层上；在晶圆的正面进行金属离子注入与离子活化制程；在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板；在所述晶圆的背面布置铜种子层，并通过所述光阻覆盖所述晶圆的切割道处的所述的铜种子层；在未被光阻覆盖的铜种子层上形成铜金属块；去除光阻，并蚀刻切割道上方的铜种子层；在所述铜种子层上形成铜金属块；通过激光进一步切割所述切割道下端的部分晶圆；将所述晶圆转移到模框上，并去除键合剂，移除所述的玻璃载板；对所述晶圆进行裂片形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，朱亦峰，刘文杰，马晴，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：