【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
[0001]本公开涉及摄像装置。
技术介绍
[0002]在数字相机等中，广泛使用CCD(电荷耦合器件(Charge Coupled Device))图像传感器及CMOS(互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor))图像传感器。这些图像传感器具有被形成在半导体基板上的光电二极管。
[0003]提出了在半导体基板的上方配置具有光电转换层的光电转换部的构造。具有这样的构造的摄像装置有时被称为层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电转换而产生的电荷被积蓄于电荷积蓄区域。与电荷积蓄区域中积蓄的电荷量相应的信号经由被形成于半导体基板的CCD电路或者CMOS电路读出。
[0004]在专利文献1中，提出了背面照射型的摄像装置。在该摄像装置中，在半导体基板的背面侧设置有具有光电转换层的光电转换部。在半导体基板的正面侧设置有布线层。
[0005]在专利文献1的摄像装置中，在像素区域中，在半导体基板设置有通孔。在通孔中设置有贯通电极。贯通电极将半...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，具备：像素区域，包括第1基板部且设置有多个像素；以及周边区域，包括第2基板部而未设置像素，所述第1基板部及所述第2基板部被包含在1个半导体基板中，所述多个像素各自包括：第1电极；第2电极；光电转换层，位于所述第1电极与所述第2电极之间；以及电荷积蓄区域，被设置于所述第1基板部，所述像素区域包括：多个第1通孔，贯通所述第1基板部；以及多个第1贯通电极，各自被设置于所述多个第1通孔之中的对应的第1通孔，将所述第1电极与所述电荷积蓄区域电连接，所述周边区域包括：多个第2通孔，贯通所述第2基板部；以及多个第2贯通电极，各自被设置于所述多个第2通孔之中的对应的第2通孔，作为所述多个第1贯通电极的面积相对于所述像素区域的面积之比的所述多个第1贯通电极的面积密度，与作为所述多个第2贯通电极的面积相对于所述周边区域的面积之比的所述多个第2贯通电极的面积密度不同。2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：电气路径，与所述多个第1贯通电极电分离，包括所述多个第2贯通电极，所述电气路径不经过所述第1基板部内，而与所述像素区域中的特定部位电连接。3.如权利要求2所述的摄像装置，还具备：屏蔽电极，与所述第1电极电分离，所述光电转换层位于所述屏蔽电极与所述第2电极之间，所述特定部位被包含在所述屏蔽电极或者所述第2电极中。4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，所述多个第1贯通电极各自的截面形状与所述多个第2贯通电极各自的截面形状不同。5.如权利要求4所述的摄像装置，所述多个第1贯通电极各自的所述截面形状与所述多个第2贯通电极各自的所述截面形状相比更接近于圆，所述多个第2贯通电极各自的所述截面形状与所述多个第1贯通电极各自的所述截面形状相比更接近于长方形。6.如权利要求4或者5所述的摄像装置，所述周边区域还包括位于所述第2基板部内的多个布线，所述多个第2贯通电极经过所述多个布线之间，将所述多个第1贯通电极各自的所述截面形状包围的面积最小的长方形具有第1边、以及长度为所述第1边的长度以上的第2边，将所述多个第2贯通电极各自的所述截面形状包围的面积最小的长方形具有第3边、以
及长度为所述第3边的长度以上的第4边，在将所述第2边的长度相对于所述第1边的长度的比率定义为第1比率，并将所述第4边的长度相对于所述第3边的长度的比率定义为第2比率时，所述第1比率比所述第2比率小。7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，所述多个第1贯通电极各自的截面积与所述多个第2贯通电极各自的截面积不同。8.如权利要求7所述的摄像装置，所述多个第1贯通电极各自的截面积比所述多个第2贯通电极各自的截面积小。9.如权利要求1至8中任一项所述的摄像装置，所述多个第1贯通电极各自的截面的周长与所述多个第2贯通电极各自的截面的周长不同。10.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田隆善，佐藤好弘，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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