一种碳化硅晶圆切割工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅晶圆切割工艺，属于半导体领域。一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；通过激光对切割道底面进行隐形切割，破坏切割道底面的金属沉积以及晶圆；将晶圆贴合切割模框，切断所述封堵，移除载板；通过扩膜裂片使得切割道部分断裂，实现晶圆的切割。实现晶圆的切割。实现晶圆的切割。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶圆切割工艺


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种碳化硅晶圆切割工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断普及，对超薄晶圆的加工工艺要求越来越高。超薄晶圆，一般厚度为20～250微米，用于半导体器件。在目前的晶圆切割工艺中，先将晶圆搭载在玻璃载板上，进行晶圆薄化以及背面加工工艺，而后从玻璃载板上取下晶圆，使用钻石刀(diamond saw)、镭射或电浆进行晶粒切割。但是虽然现有技术中提及了激光切割的方法，但是，经过金属镀膜的晶圆的切割道的底部会沉积金属，导致激光切割并不能完全切断晶圆。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种碳化硅晶圆切割工艺。
[0004]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0005]一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:
[0006]将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；
[0007]通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；
[0008]通过激光隐形切割破坏切割道底面的晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；通过激光隐形切割破坏切割道底面的晶圆部分；在晶圆表面沉积形成金属镀膜；将晶圆贴附在切割模框上，去除封堵，解除晶圆与载板的固定，移除载板；进行扩膜裂片，沿着切割道拉断晶圆以及沉积的金属镀膜。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，朱亦峰，刘文杰，马晴，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：