一种晶圆加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆加工工艺，属于半导体制造领域。一种晶圆加工工艺，包括以下步骤：在晶圆背面完成背面的金属工艺，将晶圆背面键合在载盘上；在晶圆正面以及载盘上端面上涂布铝金属层，在铝金属层上涂布光阻，并使得晶圆预留的切割道上方的铝金属层暴露；蚀刻暴露在光阻外的铝金属层，并且在晶圆与载盘的衔接处形成金属环；在晶圆预设置切割道的部位进行隐形切割，将晶圆加热形成欧姆合金；在所述的铝金属层上进行化学镀，形成贵金属层；晶圆预设置切割道的部位进行切割形成切割道，切断并去除所述的金属环；进行扩膜裂片形成晶粒。进行扩膜裂片形成晶粒。进行扩膜裂片形成晶粒。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆加工工艺。

技术介绍

[0002]在晶圆的加工工艺中，对于薄晶圆的搭载难度较高，如果固定不恰当容易发生晶圆的翘曲，而影响整体产品的良率。另一方面，在晶圆的贵金属化学镀工艺中，晶圆的背面容易被镀上贵金属，造成了生产成本的增加。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种晶圆加工工艺。
[0004]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0005]一种晶圆加工工艺，包括以下步骤：
[0006]在晶圆背面完成背面的金属工艺，将晶圆背面键合在载盘上；
[0007]在晶圆正面以及载盘上端面上涂布铝金属层，在铝金属层上涂布光阻，并使得晶圆预留的切割道上方的铝金属层暴露；
[0008]蚀刻暴露在光阻外的铝金属层，并且在晶圆与载盘的衔接处形成金属环；
[0009]在晶圆预设置切割道的部位进行隐形切割，
[0010]将晶圆加热形成欧姆合金；
[0011]在所述的铝金属层上进行化学镀，形成贵金属层；
[0012]切断并去除所述的金属环，定位预设置切割道，对晶圆背面切割道部位的金属进行切割形成切割道；
[0013]进行扩膜裂片形成晶粒。
[0014]所述的贵金属层的材质为镍、钯、金中的一种或多种。
[0015]所述载盘为透明材质，所述的晶圆预设置切割道的部位进行切割形成切割道步骤中，将载盘的底面朝上，晶圆正面朝下放置在透明载具上，载具上设置用于定位预设置切割道的部位的装置，载盘上方投射激光透过透明载盘切割所述被面积金属层以及晶圆形成切割道。
[0016]所述载盘为玻璃载盘。
[0017]本专利技术的有益效果：
[0018]本专利技术的金属环能够封住晶圆与载盘的衔接处，使得化学镀的时候，镀液并不会接触到晶圆的背面，减少不必要的浪费。同时金属环还具有固定晶圆的作用，在涉及高温的工艺下，能够避免使用键合剂固定晶圆。
附图说明
[0019]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0020]图1～3为本申请的工艺流程图。
[0021]图中标号对应部件：
[0022]1‑
晶圆，2
‑
载盘，3
‑
背面金属层，4
‑
铝金属层，5
‑
金属环，6
‑
贵金属层；7
‑
载具，8
‑
吸盘，9
‑
模框，10
‑
通孔，11
‑
光阻，101
‑
晶粒。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]如图1、图2与图3所示，一种晶圆1加工工艺，包括以下步骤：
[0025]在晶圆1背面完成背面的金属工艺，即在晶圆1的背面形成背面金属层3，将晶圆1背面键合在载盘2上；
[0026]在晶圆1正面以及载盘2上端面上涂布铝金属层4，在铝金属层4上涂布光阻11，并使得晶圆1预留的切割道上方的铝金属层4暴露；
[0027]蚀刻暴露在光阻11外的铝金属层4，并且在晶圆1与载盘2的衔接处形成金属环5；
[0028]在晶圆1预设置切割道的部位进行隐形切割，
[0029]将晶圆1加热形成欧姆合金；
[0030]在所述的铝金属层4上进行化学镀，形成贵金属层6。其中所述的贵金属层6的材质可以为但是不限于镍、钯或金。
[0031]切断并去除所述的金属环5，晶圆1预设置切割道的部位进行切割形成切割道；
[0032]进行扩膜裂片形成晶粒101。
[0033]所述载盘2为透明材质，所述的晶圆1预设置切割道的部位进行切割形成切割道步骤中，将载盘2的底面朝上，晶圆1正面朝下放置在透明载具7上，载具7上设置用于定位预设置切割道的部位的装置，载盘2上方投射激光透过透明载盘2切割所述被面积金属层以及晶圆1形成切割道。
[0034]所述载盘2可以是玻璃载盘2。载具7需要使得激光透过，因此也可以设置为玻璃材质。
[0035]在本专利技术的一些实施例中，载盘2与载具7上都可以设置通孔10，这样，在晶圆1从载盘2转移到载具7上时、转移到模框9上时，可以通过背面贴附吸盘8进行负压吸附，从而安全地实现晶圆1的转移。
[0036]在本专利技术的一些实施例中，在化学镀之前，需要对不期望镀铝的区域进行保护，具体地说，可以在晶圆1上端面的不期望镀贵金属的部位覆盖保护层，例如为光阻11。然后再通过光刻，使得需要镀贵金属的部位，即铝金属层4的上方得以暴露。上述步骤完成后，再进行化学镀。
[0037]并且在化学镀的过程中，所述的金属环5也能充当隔断的作用，避免携带贵金属的化镀液渗透到晶圆1的背面而造成不必要的浪费。
[0038]如图2与图3所示，在本实施例中，先切断并去除了用于固定以及密封晶圆1的金属环5，之后再去通过吸盘8等方式转移晶圆1与载盘2到载具7上，进行切割以形成切割道。
[0039]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指
结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0040]以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆背面完成背面的金属工艺，将晶圆背面键合在载盘上；在晶圆正面以及载盘上端面上沉积铝金属层，在铝金属层上涂布光阻，并使得晶圆预留的切割道上方的铝金属层暴露；蚀刻暴露在光阻外的铝金属层，并且在晶圆与载盘的衔接处形成金属环；在晶圆预设置切割道的部位进行隐形切割，将晶圆加热形成欧姆合金；在所述的铝金属层上进行化学镀，形成贵金属层；切断并去除所述的金属环，定位预设置切割道，对晶圆背面切割道部位的金属进行切割形成切割道；转移至模框，进行扩膜裂片形成晶粒。2.根据权利要求1所述的晶圆加工工艺，其特征在于，所述的贵金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，刘文杰，朱亦峰，马晴，
申请(专利权)人：浙江同芯祺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：