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本发明公开了一种碳化硅晶圆切割工艺，属于半导体领域。一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；通过激光对切割道底面进行隐形切割，破坏切割道...
该专利属于浙江同芯祺科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江同芯祺科技有限公司授权不得商用。

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