半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备：半导体芯片，其具有形成有元件结构的元件形成面；第一导电层，其形成在所述半导体芯片的所述元件形成面上；第二导电层，其形成在所述第一导电层上；第一引线，其与所述第二导电层连接，且由以铜为主成分的材料构成；以及第三导电层，其形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间，且包含比铜硬的材料。且包含比铜硬的材料。且包含比铜硬的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种半导体装置，其具备：具有第一电极和第二电极的绝缘基板；在第一电极上利用烧结金属层接合的半导体元件；由在半导体元件上设置的烧结铜层和将烧结铜层的表面覆盖的含金属层构成的接合部；在第二电极上设置的金属烧结层；以及金属引线，其一端侧与接合部接合且另一端侧经由金属烧结层与第二电极接合。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018－147967号公报

技术实现思路

[0006]用于解决课题的方案
[0007]本公开的一实施方式的半导体装置包含：半导体芯片，其具有形成有元件结构的元件形成面；第一导电层，其形成在半导体芯片的元件形成面上；第二导电层，其形成在第一导电层上；第一引线，其与第二导电层连接，且由以铜为主成分的材料构成；以及第三导电层，其形成在第一导电层与第二导电层之间，且包含比铜硬的材料。
附图说明
[0008]图1是本公开第一实施方式的半导体装置的示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，其具有形成有元件结构的元件形成面；第一导电层，其形成在所述半导体芯片的所述元件形成面上；第二导电层，其形成在所述第一导电层上；第一引线，其与所述第二导电层连接，且由以铜为主成分的材料构成；以及第三导电层，其形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间，且包含比铜硬的材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备第四导电层，该第四导电层形成在所述半导体芯片与所述第一导电层之间，且包含比铜硬的材料。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第四导电层包含与所述第三导电层相同的材料。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述第三导电层的厚度为所述第四导电层的厚度以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述元件结构包含：凹部，其形成于所述半导体芯片；以及导电性的埋入体，其埋入于所述凹部，所述第一导电层覆盖所述凹部。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述元件结构包含分别在所述凹部露出的第一导电型的第一区域和与所述第一区域相接的第二导电型的第二区域，所述埋入体与所述第一区域及所述第二区域电连接。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：绝缘层，其形成在所述半导体芯片与所述第一导电层之间；凹部，其贯通所述绝缘层，并到达所述半导体芯片的厚度方向中途；第四导电层，其仿照所述凹部的内表面和所述绝缘层的上表面而形成，且包含比铜硬的材料；以及导电性的埋入体，其隔着所述第四导电层埋入于所述凹部。8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，以1μm以下的间距排列有多个所述凹部。9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：油谷匡胤，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：