半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面；在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层；在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一预设功率和所述第二预设功率的设置满足：使所述第一金属层的晶粒的尺寸大于所述第二金属层的晶粒的尺寸；在第一预设温度下执行退火处理；所述第一预设温度的设置满足：使所述第一金属层与所述导电引出面建立欧姆接触。本发明专利技术所提供的半导体结构的制备方法及半导体结构，使半导体器件有更稳定的性能。使半导体器件有更稳定的性能。使半导体器件有更稳定的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]快恢复二极管(FRD，Fast recovery diode)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、脉冲宽度调制(PWM，Pulse width modulation)器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压较高。
[0003]溅射镀膜(sputter)指在真空室中，利用荷能粒子轰击靶材表面，使被轰击出的靶材离子在基片上沉积的技术，实际上是利用溅射现象达到制取各种薄膜的目的。由于较好的形貌以及电特性，在硅基半导体结构上通过溅射镀膜工艺形成铝硅合金(AlSi)作为FRD的电极，在业内广泛应用。对于高频使用场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面；在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层；在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一预设功率和所述第二预设功率的设置满足：使所述第一金属层的晶粒的尺寸大于所述第二金属层的晶粒的尺寸；在第一预设温度下执行退火处理；所述第一预设温度的设置满足：使所述第一金属层与所述导电引出面建立欧姆接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件初体的材料包括硅。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括铝硅合金。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一预设功率为13KW～16KW，所述第二预设功...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏凯利，眭小超，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：