半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上包括硅区域和非硅区域；形成金属材料层，金属材料层包括钴；执行第一退火工艺，以使金属材料层在硅区域形成金属硅化物；执行湿法蚀刻工艺，利用氨水与双氧水的混合液去除未反应的钴，并在衬底进入氨水与双氧水的混合液前开启兆声装置，以利用兆声装置发出的兆声波防止混合液中的氧化钴结晶析出并附着于衬底的表面。本发明专利技术中，提前开启混合液的兆声装置，利用兆声装置发出的兆声波使得混合液本身的能量更大，提高混合液对氧化钴的溶解度，以形成不利于结晶析出氧化钴的环境，从而避免衬底进入混合液时氧化钴结晶析出并附着于衬底表面的问题。附着于衬底表面的问题。附着于衬底表面的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，利用钴和衬底中的硅形成硅化钴(金属硅化物)以降低接触电阻应用较为广泛。
[0003]该硅化钴的形成过程可例如：在衬底表面沉积钴，再执行退火工艺以及湿法蚀刻工艺，利用退火工艺使钴和硅形成硅化钴以及利用湿法蚀刻工艺去除未反应的钴，从而在衬底的表面形成自对准的金属硅化物。
[0004]然而，在上述湿法蚀刻工艺后的衬底表面却时常发现有氧化钴的颗粒(晶体)残留，严重影响产品良率。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形成方法，用于解决湿法蚀刻工艺后的衬底表面氧化钴晶体残留的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括硅区域和非硅区域；在所述衬底上形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述硅区域和非硅区域，所述金属材料层的材料包括钴；执行第一退火工艺，以使所述金属材料层在所述硅区域形成金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上包括硅区域和非硅区域；在所述衬底上形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述硅区域和非硅区域，所述金属材料层的材料包括钴；执行第一退火工艺，以使所述金属材料层在所述硅区域形成金属硅化物，所述金属硅化物包括硅化钴；将所述衬底置于第一药液槽中执行湿法蚀刻工艺，所述湿法蚀刻工艺采用的刻蚀液包括氨水与双氧水的混合液，以去除所述非硅区域的金属材料层并保留所述金属硅化物；其中，在所述衬底进入所述氨水与双氧水的混合液之前开启兆声装置，并在执行所述湿法蚀刻工艺时利用兆声波防止所述氨水与双氧水的混合液中的氧化钴结晶析出附着于所述衬底的表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属材料层包括钴、钴镍及钴钛合金中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氨水与双氧水的混合液中氨水与双氧水的比例为1:1～1:0.25。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺包括在所述衬底进入所述第一药液槽之前，将所述衬底置于第二药液槽中以去除所述衬底表面的有机杂质，所述第二药液槽中包括硫酸和双氧水...

【专利技术属性】
技术研发人员：程超，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：