摄像装置、其工作方法及电子设备制造方法及图纸

提供一种能够进行图像处理的摄像装置。该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据(图像数据)保持在像素中而从该像素取出该模拟数据乘以任意权系数的数据。通过将该数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大的图像数据以模拟数据的状态保持在像素中，所以可以高效地进行处理。所以可以高效地进行处理。所以可以高效地进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置、其工作方法及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种摄像装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的工作方法或者这些装置的制造方法。
[0003]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外,存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包含半导体装置。

技术介绍

[0004]使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如，专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流非常低的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，包括像素区块、第一电路及第二电路，其中，所述像素区块包括配置为矩阵状的多个像素，所述多个像素与所述第二电路电连接，所述第一电路具有选择配置在一个行上的所述多个像素的功能，所述第一电路具有选择配置在连续的多个行上的所述多个像素的功能，所述像素具有生成第一数据的功能，所述像素具有将任意电位加到所述第一数据而生成第二数据的功能，所述第二电路具有生成相当于所述多个像素各自生成的所述第一数据之和的第三数据的功能，并且，所述第二电路将相当于所述多个像素各自生成的所述第二数据之和的电位加到所述第三数据而生成第四数据。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中所述像素包括光电转换器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第一电容器，所述光电转换器件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的栅极与所述第一电容器的一个电极电连接，所述第一电容器的另一个电极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二电路电连接，并且所述第五晶体管的栅极与所述第一电路电连接。3.根据权利要求1或2所述的摄像装置，其中所述第二电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第二电容器及电阻器，所述第二电容器的一个电极与所述多个像素电连接，所述第二电容器的一个电极与所述电阻器电连接，所述第二电容器的另一个电极与所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第七晶体管的栅极电连接，所述第七晶体管的源极和漏极中的一个与所述第八晶体管的源极和漏极中的一个电连接，并且所述第八晶体管的源极和漏极中的一个与所述第九晶体管的源极和漏极中的一个电连接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，还包括第三电路，其中所述像素还包括第十晶体管及第十一晶体管，所述第三电路具有与所述第二电路相同的结构及功能，所述第十晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极电连接，
所述第十晶体管的源极和漏极中的一个与所述第十一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第十一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三电路电连接，并且所述第十一晶体管的栅极与所述第一电路电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，其中所述第一电路为包括第一逻辑电路、第二逻辑电路、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管及第十五晶体管的移位寄存器电路，所述第一逻辑电路的输出端子与所述第十二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第二逻辑电路的输出端子与所述第十三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田诚一，根来雄介，小林英智，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：