半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构技术

根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。面平坦化。面平坦化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构


[0001]本专利技术的涉及半导体基板的制造方法，镶嵌配线结构的制造方法，半导体基板和镶嵌配线结构。

技术介绍

[0002]现有技术中作为制造其中形成有凹部的硅基板(半导体基板)的方法，已知有通过使用Bosch工艺在硅基板上形成凹部后使用干法蚀刻去除在该凹部的侧面上形成的波纹(scallop，细小的凹凸结构)的方法(参见专利文献1至5)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利公开第2013
‑
206991号公报
[0006]专利文献2：日本专利公开第2014
‑
13821号公报
[0007]专利文献3：日本专利公开第2008
‑
34508号公报
[0008]专利文献4：美国专利公开第2008/0023846号说明书
[0009]专利文献5：美国专利公开第2007/0281474号说明书
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包含：第一工序，通过对半导体基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的凹部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对所述凹部的所述侧面进行的亲水化处理及对所述凹部进行的脱气处理中的至少一者；以及第三工序，在所述凹部的所述底面存在的状态下，通过进行各向异性的湿法蚀刻，去除在所述凹部的所述侧面形成的所述波纹，并使所述侧面平坦化。2.一种镶嵌配线结构的制造方法，其特征在于，包含：权利要求1所述的半导体基板的制造方法中的所述第一工序、所述第二工序和所述第三工序，且在第一工序中，作为所述凹部形成沿着所述半导体基板的所述主面延伸的槽部；第四工序，在所述第三工序之后，形成具有设置在所述槽部的内面上的第一部分和与所述第一部分一体成形并设置在所述主面上的第二部分的绝缘层；第五工序，在所述绝缘层的所述第一部分和所述第二部分上形成金属层；第六工序，在埋入所述槽部内的所述金属层上形成配线部；第七工序，使所述绝缘层的所述第二部分露出，去除所述第二部分上的所述金属层和所述配线部；以及第八工序，在所述第七工序之后，以覆盖所述绝缘层的所述第二部分、所述金属层的端部、及所述配线部的方式形成覆盖层。3.根据权利要求2所述的镶嵌配线结构的制造方法，其特征在于，所述半导体基板的所述主面沿着(100)面，在所述第一工序中，形成在沿着(110)面的方向上延伸的所述槽部。4.一种半导体基板，其特征在于，具备：设置有凹部的主面，所述凹部具有底面、侧面和倾斜面，所述倾斜面在所述底面和所述侧面之间与所述底面和所述侧面连接，并且以与所述底面和所述侧面形成钝角的方式相对于...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上直，伊藤穣，田中豪，饭间敦矢，铃木大几，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：