一种背面金属化金共晶工艺制造技术

本发明专利技术公开一种背面金属化金共晶工艺，包括如下步骤：(1)贴膜：在硅片正面贴保护膜；(2)修膜：沿硅片边缘将保护膜修整齐；(3)背面减薄：通过减薄设备将硅片的背面减薄；(4)背面腐蚀：将减薄后的硅片置于腐蚀槽中并加入腐蚀液进行腐蚀，腐蚀后取出，腐蚀液为氢氟酸、硝酸和活化液的混合物；(5)去膜：腐蚀后将硅片正面的保护膜去除，并对硅片进行清洗，然后吹干；(6)背面蒸发：对硅片背面进行金属蒸发处理，在硅片背面形成金层；(7)真空合金：背面蒸发后将硅片置于真空合金炉中熔炼，形成金硅合金；完成背面金属化金共晶工艺。本发明专利技术的背面金属化金共晶工艺，其工艺成本大幅降低，且没有毒性，在P型材料的硅片上可以使用。P型材料的硅片上可以使用。

【技术实现步骤摘要】
一种背面金属化金共晶工艺


[0001]本专利技术涉及半导体蒸发工艺，具体涉及一种背面金属化金共晶工艺。

技术介绍

[0002]共晶焊技术在电子封装行业得到广泛应用，如芯片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比，共晶焊接具有热导率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大的优点，适用于高频、大功率器件中芯片与基板、基板与管壳的互联。对于有较高散热要求的功率器件必须采用共晶焊接。共晶焊是利用了共晶合金的特性来完成焊接工艺的。共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，其熔化温度称共晶温度。共晶合金具有以下特性：(1)比纯组元熔点低，简化了熔化工艺；(2)共晶合金比纯金属有更好的流动性，在凝固中可防止阻碍液体流动的枝晶形成，从而改善了铸造性能；(3)恒温转变，无凝固温度范围，减少了铸造缺陷，如偏聚和缩孔；(4)共晶凝固可获得多种形态的显微组织，尤其是规则排列的层状或杆状共晶组织，可成为优异性能的原位复合材料。现有技术中通常使用的背面金属化共晶工艺用金砷合金来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背面金属化金共晶工艺，其特征在于，该共晶工艺包括如下步骤：(1)贴膜：在硅片正面贴保护膜；(2)修膜：沿所述硅片的边缘将所述保护膜修整整齐；(3)背面减薄：通过减薄设备将所述硅片的背面减薄；(4)背面腐蚀：将减薄后的硅片置于腐蚀槽中并加入腐蚀液对所述硅片进行腐蚀，腐蚀后取出；所述的腐蚀液为氢氟酸、硝酸和活化液的混合物；(5)去膜：腐蚀后将所述硅片正面的保护膜去除，并对硅片进行清洗，然后吹干；(6)背面蒸发：对所述硅片背面进行金属蒸发处理，在硅片背面形成金层；(7)真空合金：背面蒸发后将所述硅片置于真空合金炉中熔炼，形成金硅合金；完成背面金属化金共晶工艺。2.根据权利要求1所述的一种背面金属化金共晶工艺，其特征在于，步骤(3)背面减薄：通过减薄设备将所述的硅片减薄至180
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220微米。3.根据权利要求1所述的一种背面金属化金共晶工艺，其特征在于，步骤(4)背面腐蚀：将减薄后的硅片置于腐蚀槽中并加入腐蚀液对所述硅片的背面进行腐蚀，并控制所述硅片背面被腐蚀的厚度为5
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10微米，腐蚀完成后将硅片取出；且所述的腐蚀液为氢氟酸、硝酸和活化液的混合物。4.根据权利要求3所述的一种背面金属化金共晶工艺，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王献兵，
申请(专利权)人：爱特微张家港半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：