温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种背面金属化金共晶工艺，包括如下步骤：(1)贴膜：在硅片正面贴保护膜；(2)修膜：沿硅片边缘将保护膜修整齐；(3)背面减薄：通过减薄设备将硅片的背面减薄；(4)背面腐蚀：将减薄后的硅片置于腐蚀槽中并加入腐蚀液进行腐蚀，腐蚀后取出...
该专利属于爱特微（张家港）半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特微（张家港）半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。