一种钨膜形成方法技术

本发明专利技术公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。膜电阻。膜电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种钨膜形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种钨膜形成方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，尺寸的减小对低电阻的要求也更加严格。金属膜，例如钨膜，决定钨膜电阻大小以及可靠性的通常是成核层。在钨膜的形成过程中，先形成成核层，再在成核层上方通过氢气和含钨气体形成钨膜。如果没有稳定的成核层，很难形成可靠的钨膜。
[0003]现有技术中的钨膜工艺中，在使用含硼气体形成成核层时，会出现硼污染物层，导致成核层表面形态较差，导致最终形成的钨膜电阻过高。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种钨膜形成方法，解决了现有技术中由于成核层表明形态较差导致钨膜电阻过高的技术问题，实现了改善成核层表面形态的技术效果。
[0005]本申请提供一种钨膜形成方法，所述方法包括：
[0006]将半导体衬底置于工艺腔室；
[0007]向所述工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；
[0008]反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在所述半导体衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钨膜形成方法，其特征在于，所述方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室；向所述工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在所述半导体衬底上形成成核层，其中，所述成核层沉积步骤包括：向所述工艺腔室依次通入所述含硼气体以及含钨气体；所述气体脉冲处理步骤包括：向所述工艺腔室通入所述含硼气体；在所述成核层上方形成钨膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理，包括：将所述含硼气体按照气体流量为100～500sccm通入所述工艺腔室。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，包括：按照每次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量，反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，其中，对于先后执行的两次气体脉冲处理步骤，上一次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量大于下一次气体脉冲处理步骤中通入的所述含硼气体的气体量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述下一次气体脉冲处...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相荣，白国斌，高建峰，王桂磊，丁云凌，崔恒玮，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：