一种半导体结构及其形成方法、制造装置制造方法及图纸

本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底的表面具有至少一个空隙结构，所述空隙结构具有底表面和侧壁；沉积工艺，所述沉积工艺包括在所述衬底的所述侧壁和所述底表面上形成薄膜；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括去除所述侧壁上的薄膜和部分所述底表面上的薄膜；依序地且重复地执行所述沉积工艺和所述刻蚀工艺，直到薄膜自下向上形成预定厚度。通过循环执行沉积工艺和刻蚀工艺，抑制侧壁上薄膜的生长，持续保持底表面上薄膜的沉积，从而做到自下往上的沉积效果，减少或避免常规沉积中易出现的空洞与缝隙。与缝隙。与缝隙。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其形成方法、制造装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、制造装置。

技术介绍

[0002]为制作分立器件与集成电路，需使用很多不同种类的薄膜。采用一定的方法，使处于某种状态的一种或几种物质(原材料、前驱物)的基团以物理或化学的方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这就是常见的薄膜的形成过程。
[0003]然而目前膜层沉积的制程技术中仍存在不足，如何优化膜层沉积的制程技术为现阶段亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面具有至少一个空隙结构，所述空隙结构具有底表面和侧壁；沉积工艺，所述沉积工艺包括在所述衬底的所述侧壁和所述底表面上形成薄膜；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括去除所述侧壁上的薄膜和部分所述底表面上的薄膜；依序地且重复地执行所述沉积工艺和所述刻蚀工艺，直到薄膜自下向上形成预定厚度。
[0005]在一些实施例中，所述沉积工艺包括：将所述衬底暴露于包括前驱物气体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面具有至少一个空隙结构，所述空隙结构具有底表面和侧壁；沉积工艺，所述沉积工艺包括在所述衬底的所述侧壁和所述底表面上形成薄膜；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括去除所述侧壁上的薄膜和部分所述底表面上的薄膜；依序地且重复地执行所述沉积工艺和所述刻蚀工艺，直到薄膜自下向上形成预定厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺包括：将所述衬底暴露于包括前驱物气体和刻蚀性气体的混合气体，控制所述前驱物气体与所述刻蚀性气体的流量比，使得所述薄膜的沉积速率大于所述薄膜的刻蚀速率。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括：将所述衬底暴露于包括前驱物气体和刻蚀性气体的混合气体，控制所述前驱物气体与所述刻蚀性气体的流量比，使得所述薄膜的沉积速率小于所述薄膜的刻蚀速率。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀工艺中前驱物气体与刻蚀性气体的流量比小于沉积工艺中前驱物气体与刻蚀性气体的流量比。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，薄膜在所述底表面上的沉积速率大于薄膜在所述侧壁上的沉积速率。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺包括采用微波等离子体化学气相沉积工艺；所述刻蚀工艺包括采用微波等离子体刻蚀工艺。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺和所述刻蚀工艺中微波的功率为1000W至10000W，频率为1GHz至30GHz。8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述前驱物气体与所述刻蚀性气体的流量比为1:50至1:500。9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合气体还包括掺杂气体，所述掺杂气体与所述刻蚀性气体的流量比为0.01至0.2。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：查天庸，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：