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本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底的表面具有至少一个空隙结构，所述空隙结构具有底表面和侧壁；沉积工艺，所述沉积工艺包括在所述衬底的所述侧壁和所述底表面上形成薄膜；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括去除所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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