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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上包括硅区域和非硅区域；形成金属材料层，金属材料层包括钴；执行第一退火工艺，以使金属材料层在硅区域形成金属硅化物；执行湿法蚀刻工艺，利用氨水与双氧水的混合液去除未反应的钴，并在衬底进...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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