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本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面；在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层；在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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