半导体器件制造技术

提供一种半导体器件，其具备配线结构，该配线结构具有兼具扩散阻挡功能和衬垫功能的单层的扩散阻挡层。半导体器件具备配线结构，所述配线结构具有绝缘层、导电性配线、以及在绝缘层与导电性配线之间以与绝缘层和导电性配线这两者接触的方式配设的扩散阻挡层，其中，扩散阻挡层由具有包含合计为90质量％以上的第一金属以及第二元素的非晶质结构的合金构成，第一金属为选自Co、Ru以及Mo中的任一种，当第一金属为Co时，第二元素为选自Zr、Al以及Nb中的一种或两种以上，当第一金属为Ru时，第二元素为Zr，当第一金属为Mo时，第二元素为选自Y以及B中的一种或两种。自Y以及B中的一种或两种。自Y以及B中的一种或两种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及具有配线结构的半导体器件。

技术介绍

[0002]随着LSI的微细化，与晶体管连接的多层配线的线宽变窄。例如，LSI的技术节点微细化为22nm、10nm、5nm，由此局部配线的线宽减少至40nm、18nm、10nm。多层配线例如在以SiO2为基础的绝缘层中纵横地配置铜配线。铜与SiO2相互扩散而产生配线间的电流泄漏，因此在铜与SiO2的界面需要扩散阻挡层。现状的扩散阻挡层大多使用非晶质的TaN等。最近，还已知在扩散阻挡层中使用Co
‑
Ti合金、Co
‑
Hf合金以及Co
‑
Ta合金的例子(专利文献1)。然而，扩散阻挡层一般与铜的润湿性以及密接性不充分。因此，为了提高与铜的润湿性以及密接性，提出了在扩散阻挡层与铜之间层叠由Ta或Co等构成的衬垫层的方案(专利文献2、3)。
[0003]图2是用于对以往的半导体器件中的配线结构20的形成过程进行说明的示意性的剖视图。(1)在绝缘层21形成配线槽22。(2)在配线槽22的内表面成膜TaN等扩散阻挡层23。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其具备配线结构，所述配线结构具有绝缘层、导电性配线以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层在所述绝缘层与所述导电性配线之间以与所述绝缘层和所述导电性配线这两者接触的方式配设，其中，所述绝缘层含有硅氧化物和/或包含C、N以及H中的至少一种以上元素的硅氧化物，所述导电性配线含有Cu和/或Co，所述扩散阻挡层由具有包含合计为90质量％以上的第一金属以及第二元素的非晶质结构的合金构成，所述第一金属为选自Co、Ru以及Mo中的任一种，当所述第一金属为Co时，所述第二元素为选自Zr、Al以及Nb中的一种或两种以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池淳一，矢作政隆，山田裕贵，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：