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本发明提出了一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法，本发明的肖IGBT的第一表面采用肖特基结构，IGBT的第二表面上与肖特基结构的沟槽的正对的区域注入P
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该专利属于浙江同芯祺科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江同芯祺科技有限公司授权不得商用。

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