集成电路的制作方法及实施该方法的装置制造方法及图纸

制作集成电路的方法是按照预先确定的布局，在衬底１上给定坐标系中，以点的集合形式涂敷单个成分滴２。这些点的组合就是集成电路元件的半制品，经热处理反便获得制成的集成电路。实施上述方法的装置包括一个顺序安装的材料涂敷部件，上面有毛细管喷嘴和有选择地使液滴从喷嘴中喷到衬底上的电控机构。衬底放在衬底固定部件上，它利用传送装置移动。还包括控制部分，它与电控机构及电压脉冲发生器２１连接，还有热处理部件及烘干装置。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术能应用于微电子学和低温电子学中。在进行实验性研制集成电路和小批量生产时，应用本专利技术能获得最好的效果。已知的制作集成电路的方法是，在衬底上按照予先确定的图形涂敷上包含构成集成电路元件的各种成分(金属悬浮液、金属溶液、类金属和金属氧化物)，並对这些元件进行热处理(M·Ton ep著“Mukpoэ ekmpoHuka To cTы x n eHok”(厚膜微电子学)，1973，《世界》(莫斯科)，23～29，102～111页)。根据已知的方法，通过用照相方法制成的掩膜，将各种成分沉积在衬底上，並进行后处理，直到达到复制出所研制的集成电路所要求的图形为止。而且，在衬底上涂敷某些成分(金属的悬浮液和溶液、类金属)，在热处理之后可以获得微电子集成电路的有源元件和无源元件，而涂敷另外一些成分(金属氧化物)，则可获得低温电子电路的有源元件。已知的方法能保证获得高质量的集成电路，但是这种方法太复杂，因为它要求有一个费力的长时间的制备掩膜的过程，而每一个掩膜只适合于一种具体的电路，还要求具备许多保管，使用和使用后清除涂敷物等的特殊条件。此外，还必须有制备掩膜的专门的工艺程序和设备系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作集成电路的方法，采用这种方法时，在衬底（１）上按照予先确定的图形涂敷用来构成集成电路元件的各种材料，此后对这些用来构成集成电路元件的材料进行热处理，其特征为：顺序地在底板（１）上以单个液滴（２）的形式涂敷各种材料，在给定的坐标系（Ｘ／Ｙ）中形成点的组合Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ，而且每一个点的组合（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）构成集成电路的各个元件的半制品，然后将这些半制品进行热处理。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：基里尔彼得罗维奇兹宾，赛尔吉尼古拉耶维奇马克西姆夫斯基，格里高里阿夫拉莫维奇拉多斯基，
申请(专利权)人：基里尔彼得罗维奇兹宾，赛尔吉尼古拉耶维奇马克西姆夫斯基，格里高里阿夫拉莫维奇拉多斯基，
类型：发明
国别省市：SU[苏联]