【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路形成基板制造方法及电路形成基板,特别是涉及防止与电路形成基板的小型化·高密度化相伴随的基板温度的上升的电路形成基板及电路形成基板的制造方法及碳系列片。
技术介绍
近年来伴随携带式个人计算机和携带电话等电子装置的小型化·高集成化,安装在电子装置内部的电路形成基板也从单面基板向双面基板、多层基板和小型化·高集成化方向发展。可是,电路形成基板的小型化·高集成化发展的结果,来自设置在电路形成基板上的LSI、功率放大器等发热元件的散热引起的元件本身的温度、电路形成基板的温度、电子装置的框体温度的高温化成为问题。在这样的情况下,以往的做法如附图说明图15所示,将基板101中的铜平面层102的厚度加厚,具有良好的散热效果。另外,如图15所示,在LS1100等发热元件和框体104之间设置铝等导热系数好的金属(Al散热板103),使从发热元件发生的热发散,从而能防止高温化。可是,如果采用上述的方法进行良好的散热,防止发热元件等的温度上升,则存在下述的问题。即,由于铜或铝的密度(单位体积的质量)大,所以存在导致电子装置的重量增加的问题。另外,由于必须有散热板的设 ...
【技术保护点】
一种电路形成基板制造方法,其特征在于,包括:片孔形成工序,形成贯通散热片的片孔,上述散热片使支撑碳系列片的物质紧密接触上述碳系列片;以及绝缘材料紧密接触工序,通过使电绝缘材料紧密接触在上述片孔形成工序中形成的片孔的侧面,形成心子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:小林孝,冈诚次,舟桥和郎,鹤濑英纪,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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