【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及配线构造及其制造方法、以及具备配线构造的半导体装置及配线基板，尤其涉及作为传输信号用的传输线路的配线构造及其制造方法，以及具备配线构造的半导体装置及配线基板。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的精密化及高速化，信号频率接近G赫兹(GHz)。一部分半导体装置已经超过1GHz。频率处于GHz领域，半导体装置的设计中，以往用于集中参数电路的信号配线的处理方法就显得行不通，而应当以分布参数处理信号配线。这里，所谓的集中参数电路，是指电感及电阻的大小集中存在于电路的有限范围进行处理的电路。此外，所谓分布参数电路，线路的单位长度的电阻及电感等遍及线路全体作同等处理的电路。在这种分布参数电路中，传输信号的路径称为传输线路。该传输线路成为传输电磁波的线路。以往，半导体装置接点内的配线，由于配线长度不长，作为集中参数电路处理。为此，在半导体装置接点内不采用传输线路构造。此外，在实装半导体装置的配线基板，配线长度长，所以，通常采用以往的传输线路(例如，参照特许公开公报2002-158227号)。图12～图15是表示以往的传输线路构造例的剖视图。在图12，表示包含埋入...
【技术保护点】
一种配线构造，其特征在于，包括第１槽，形成在基板上的第１绝缘膜上，第１配线，沿所述第１槽的内面的至少一部分、形成在所述第１槽的延伸方向，以及第２配线，构成与所述第１配线一起传输信号用的传输线路，经第２绝缘膜与所述第１配线对向形成 ；将所述第１配线、所述第２绝缘膜及所述第２配线，埋入在所述第１槽内。
【技术特征摘要】
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