电化学定向生长Ａｌ２Ｏ３超薄膜基板的制造方法技术

电化学定向生长Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］超薄膜基板的制造方法，本发明专利技术涉及Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜基板的制造方法。它解决了采取陶瓷工艺制作的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］基板无法满足超薄要求的问题。它通过下述步骤实现：取铝箔进行表面清洗，用丙酮或氢氧化钠来去油，然后用水煮，接着用硝酸抛光，然后用超声清洗，最后烘干；把铝箔置于电解槽中，电解液的温度控制在３０～９０℃，同时对电解液进行机械搅拌，分别给两个铝箔夹上相反极性的电极，两个铝箔一个为生长极，一个为牺牲极，二者之间施加直流电压，每隔２０～３０分钟短时间交换电压方向后返回，在生长极的表面上生成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜；把作为生长极的铝箔浸入氯化铜溶液，剥离Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜；对Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜进行超声清洗和热处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及Al2O3膜基板的制造方法。
技术介绍
Al2O3是一种性能优越的陶瓷材料，具有较高的物理化学稳定性，耐高温、高绝缘、抗污染、强度高、晶形稳定。其性能强于目前的硅、石英、非晶态玻璃等材料，以此材料制成的Al2O3基板是各类电子元器件、传感器、集成电路等最常用的基板材料。传统的Al2O3基板是采取陶瓷工艺制作，厚度最薄只能达到0,5mm。对于一些比较特殊的温度、风速、气体传感器和特殊场合应用的电子元器件、集成电路等微电子产品而言，需要基片的厚度越薄越好，因为器件越薄，它的热容量越小，功耗越低， 响应时间也就越快。在现代工业、武器装备等领域的特殊部位(如，狭缝、窄条、微空间等)需要检测微小的局部位置，而且要求功耗低、响应快。目前随着微机械加工技术在传感器与微电子领域的大量应用，传统厚度的Al2O3基板已经无法满足微机械加工需要。因此，超薄膜基板在传感器与微电子工程中是急需的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法，以解决采取陶瓷工艺制作的Al2O3基板无法满足超薄要求的问题。本专利技术通过下述步骤实现本实施方式通过下述步骤实本文档来自技高网...

【技术保护点】
电化学定向生长Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］超薄膜基板的制造方法，其特征在于它通过下述步骤实现：一、取纯度为９９．９９％的铝箔进行表面清洗，依次分别置于丙酮和氢氧化钠中在４０～６０℃下浸泡１～２ｈ去除铝箔表面油污，然后用水煮１～２ｈ，接着用硝酸浸泡１～２ｈ对铝箔抛光，然后依次分别置于乙醇和去离子水中用超声清洗１０～３０ｍｉｎ，最后烘干；二、把铝箔置于电解槽中，电解液的温度控制在３０～９０℃，同时对电解液进行机械搅拌，分别给两个相对设置的铝箔夹上相反极性的电极，夹阳极的铝箔为生长极，夹阴极的铝箔为牺牲极，二者之间施加５～２００Ｖ的直流电压电解２０～３０ｍｉｎ，然后交换电压方向电解３～５ｍｉｎ，再返回电压...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施云波，郭建英，张洪泉，丁喜波，时强，冯桥华，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]