电磁干扰屏蔽装置及相关制造方法制造方法及图纸

根据一个实施方式的电磁干扰（ＥＭＩ）屏蔽装置，其大体上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所述周壁均具有至少一个形成外侧壁和内侧壁的弯折部。所述罩包括盖部和从该盖部向下延伸的多个边缘部。该屏蔽装置包括至少一个凹坑，所述凹坑构造成以接合方式接收在至少一个开口内，用于将所述罩可释放地保持至所述框架。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于使印刷电路板上的部件免受电磁干扰(EMI)谢频 干扰(RFI)的多片式屏蔽装置。
技术介绍
电子设备可能包括安装在基板上的易受电磁千扰(EMI)和射频干 扰(RFI)的电部件和电路。这样的EMI/RFI干扰可能源自电子设备内的 内源或者源自外源。干扰可致使重要信号衰减或者完全丧失，使得电子 设备效率低或不能工作。因此，为了正常工作，电路(有时称为射频模 块或收发器电路)应当包含EMI/RFI屏蔽装置。该屏蔽装置不仅降低来 自外源的干扰，而且降低来自模块内的各种功能块的干扰。因此，通常利用被焊接或用其他方式附接到印刷电路板(PCB)上 的屏蔽装置来屏蔽PCB的电子电路或部件，这增大了 PCB的整体尺寸。 然而，为了维修或更换被覆盖的部件可能需要去除焊接的屏蔽装置，这 可能是一项昂贵且费时的工作，甚至有可能损坏PCB。
技术实现思路
根据一个方面，本专利技术提供一种EMI屏蔽装置。在一个具体实施方 式中，所述EMI屏蔽装置大体上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所 述周壁均具有至少一个形成外侧壁和内侧壁的弯折部。所述罩包括盖部 和从该盖部向下延伸的多个边缘部。该屏蔽装置包括至少一个凹坑，所 述凹坑构造成以接合方式接收在至少一个开口内，用于将所述罩可释放 地保持至所述框架。根据另一方面，本专利技术提供一种制造EMI屏蔽装置的方法。在一个 示例性实施方式中，该方法大体上包括在单件材料片中压印框架和罩的平坦图案局部轮廓。所述框架的轮廓包括具有至少一个凹坑或开口。所 述罩的轮廓包括具有至少一个所述凹坑和所述幵口中的另一种的多个边 缘部。所述罩的轮廓布置在大致限定在所述框架的周壁之间的区域内。 该方法还包括在所述框架的至少一个周壁中形成至少一个弯折部，从而 为所述至少一个周壁提供外侧壁和内侧壁，使得所述内侧壁包括这样的 所述凹坑和所述开口中的所述至少一种，其弯折在所述罩的所述凹坑和 所述开口中的另一种的所述至少一个上并与其接合。该方法还包括将所 述框架的周壁和所述罩的边缘部弯曲成大致垂直于所述罩，并进行压印 以移除使所述框架与所述罩相连的剩余材料，从而形成两个可分幵的框 架件和罩件，借此通过所述凹坑与所述开口的接合而使所述罩可释放地 保持至所述框架。在另一实施方式中， 一种制造EMI屏蔽装置的方法大体上包括在单件材料片中压印框架和罩的平坦图案局部轮廓。所述框架的轮廓包括其 内均具有至少一个开口的周壁。所述罩的轮廓包括其内均形成有至少一 个凹坑的边缘部。所述罩的轮廓布置在大致限定在所述框架的周壁内的 区域内。该方法还包括在所述框架的周壁中形成弯部，从而形成至少一 个大致垂直于所述周壁的突起表面，并在所述框架的周壁中形成弯折部， 从而为所述周壁提供外侧壁和内侧壁，使得所述内侧壁包括弯折在所述 罩的边缘部的所述凹坑上并与其接合的所述开口。该方法还包括将所述 框架的周壁和所述罩的边缘部弯曲成大致垂直于所述罩，并进行压印以 移除使所述框架与所述罩相连的剩余材料，从而形成两个可分幵的框架 件和罩件，借此通过所述凹坑与所述开口的接合而使所述罩可释放地保 持至所述框架。在另一实施方式中， 一种制造EMI屏蔽装置的方法大体上包括使坯 料的外部大致向内成形约180度，从而形成所述框架的外侧壁和内侧壁， 并使所述框架的内侧壁的上部向外成形约90度，从而形成大致垂直于所 述框架的内侧壁的表面。该方法还包括使所述框架的内侧壁和外侧壁以 及所述坯料的限定所述罩的边缘部的部分向内成形约90度，并切断所述 坯料的连接所述框架和所述罩的剩余材料，从而形成两个可分开的框架件和罩件。从以下提供的详细描述将会清楚本专利技术的其他应用范围和方面。应 当理解详细描述和具体实施例尽管表示本专利技术的示例性实施方式，但是 其仅旨在进行说明而不是要限制本专利技术的范围。附图说明从以下详细描述以及附图将会更充分地理解本专利技术，其中 图1是根据本专利技术一个实施方式的包括框架和示出为组装到框架上 的罩的示例性EMI屏蔽装置的立体图；图2是根据本专利技术另一示例性实施方式的EMI屏蔽装置的分解立体图；图3是根据本专利技术另一示例性实施方式的包括框架和示出为组装到 框架上的罩的EMI屏蔽装置的立体图；图4是包括平坦图案局部轮廓的坯料的平面图，其可用于制造在图 3示出的根据本专利技术一个示例性实施方式的EMI屏蔽装置；图5是图3所示的EMI屏蔽装置的剖视图；图6是根据本专利技术另一示例性实施方式的EMI屏蔽装置的分解立体图；图7是图7所示的EMI屏蔽装置的仰视分解立体图；图8是图6所示的EMI屏蔽装置的立体图，且罩示出为组装到框架上；图9是图8所示的EMI屏蔽装置的俯视图； 图10是图8所示的EMI屏蔽装置的前侧视图； 图11是图8所示的EMI屏蔽装置的端视图；图12是沿图9中的线12-12剖取的EMI屏蔽装置的局部剖视图；以及图13是包括平坦图案局部轮廓的坯料的平面图，其可用于制造在图 6至图12示出的根据本专利技术一个示例性实施方式的EMI屏蔽装置。具体实施方式示例性实施方式的以下描述本质上仅仅是示例性的，并且决不旨在 限制本专利技术、其用途或者使用。根据一个方面，本专利技术提供EMI屏蔽装置。在一个具体实施方式中， 该EMI屏蔽装置大体上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所述周壁均 具有至少一个形成外侧壁和内侧壁的弯折部。所述罩包括盖部和从该盖 部向下延伸的多个边缘部。该屏蔽装置包括至少一个凹坑，该凹坑构造 成以接合方式接收在至少一个开口中，以可释放地将罩保持到框架上。根据另一方面，本专利技术提供制造EMI屏蔽装置的方法。在一个示例 性实施方式中，该方法大体上包括在单件材料片中压印所述框架和所述 罩的平坦图案局部轮廓。所述框架的轮廓包括具有至少一个凹坑或开口。 所述罩的轮廓包括具有至少一个所述凹坑和所述开口中的另一种的多个 边缘部。所述罩的轮廓布置在大致限定在所述框架的周壁之间的区域内。 该方法还包括在所述框架的至少一个周壁中形成至少一个弯折部，从而 为所述至少一个周壁提供外侧壁和内侧壁，使得所述内侧壁包括这样的 所述凹坑和所述开口中的所述至少一种，其弯折在所述罩的所述凹坑和 所述开口中的另一种的所述至少一个上并与其接合。该方法还包括将所 述框架的周壁和所述罩的边缘部弯曲成大致垂直于所述罩，并进行压印 以移除使所述框架与所述罩相连的剩余材料，从而形成两个可分开的框 架件和罩件，借此通过所述凹坑与所述开口的接合而使所述罩可释放地 保持至所述框架。在另一实施方式中， 一种制造EMI屏蔽装置的方法大体上包括在单 件材料片中压印框架和罩的平坦图案局部轮廓。所述框架的轮廓包括其 内均具有至少一个开口的周壁。所述罩的轮廓包括其内均形成有至少一 个凹坑的边缘部。所述罩的轮廓布置在大致限定在所述框架的周壁内的 区域内。该方法还包括在所述框架的周壁中形成弯部，从而形成至少一 个大致垂直于所述周壁的突起表面，并在所述框架的周壁中形成弯折部， 从而为所述周壁提供外侧壁和内侧壁，使得所述内侧壁包括弯折在所述 罩的边缘部的所述凹坑上并与其接合的所述开口。该方法还包括将所述框架的周壁和所述罩的边缘部弯曲成大致垂直于所述罩，并进行压印以 移除使所述框架与所述罩相连的剩余材料，从而形成两个可分开的框架 件和罩件，借此通过所述凹坑与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁干扰（ＥＭＩ）屏蔽装置，该屏蔽装置包括：　　　　框架，该框架具有多个周壁，各所述周壁包括至少一个形成外侧壁和内侧壁的弯折部；　　　　罩，该罩包括盖部和从该盖部向下延伸的多个边缘部；　　　　所述框架的内侧壁中的至少一个包括开口和凹坑中的至少一种；　　　　所述罩的边缘部中的至少一个包括至少一个所述凹坑和所述开口中的另一种；　　　　所述凹坑构造成以接合方式接收在所述开口中，以将所述罩可释放地保持至所述框架。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾伦齐尔斯多夫，伊戈尔维诺库尔，
申请(专利权)人：莱尔德技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]