本发明专利技术公开了用于操作工件的一腔室或一系列腔室，其被形成为一系列嵌套壳层的多层形式。所述壳层具有外部结构壳体和围绕超导壳层的电磁屏蔽。超导壳层或处于室温下或浸入容纳于贮槽中的低温冷却剂中。所述工件也可用动能操纵，使它运动通过电磁场放大器，并可利用所述工件有助于用于动力产生或运动推进的能量释放。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及超导材料，尤其涉及带有电磁屏蔽的超导壳层，该壳层将工 件包围在熵隔离(entropically isolated )的环境中。本申请要求享有分别于2005年4月18日和2005年7月29日递交的美 国专利申请No. 11/108， 424和No. 11/192,610的优先权。
技术介绍
通常，量子物理预测所有的空间都充满零点起伏(zero-point fluctuations )，也叫估文零点场(zero-point field ),产生净争另寸巨大的(universal sea ) 零点振动能(zero-point energy )。这种能量的密度取决于频率中零点起伏停 在何处。由于空间本身被认为是会在所谓普朗克尺度(Planck scale )( l(T33cm) 的微小距离刻度下崩裂为一种量子泡沫(quantum foam),所以零点起伏必 需停止在相应的普朗克频率(1043Hz)处。根据这一理论，零点振动能密度 可达110次方的量级，大于太阳中心的辐射能量。有许多专利主张采用电磁辐射以有助于零点振动能向可使用的电能的 转换，如美国专利No. 5， 590, 031。还有人建议，利用超导球体与外部地磁 场相互作用以驱动该场内的车辆，如美国专利No. 6, 318,666,以及利用电》兹 性使等离子体定相为干涉波，如美国专利No. 5， 966, 452。然而，现有的这 些装置没有披露本专利技术的超导壳层或给出有关的启示，本专利技术的超导壳层不 与外部地磁场或任何其他周围磁场或电场相互作用，而是使壳层内部与这些 场屏蔽，以便使用声音作为能量驱动。因此，现有的这些装置不能为这些装 置中的工件提供熵隔离环境。
技术实现思路
一般而言，本专利技术为腔室中的工件提供熵隔离环境。具体地说，本专利技术 为由一系列嵌套的壳层(shell)形成的腔室，所述壳层将腔室中的工件与来 自腔室四周的周围环境的电磁场屏蔽起来，且至少一个壳层是超导的。超导壳层或可由叠置的独立超导体制成或由固态超导壁构成。可利用在一个壳层 或一 系列连接壳层中的电磁能和动能来操作工件。本专利技术通过创建熵隔离环境实现零点振动能对原子强/弱作用力和分子 结构的影响，在这种隔绝环境中在零点振动能的能量转换的关键初始阶段中 使周围电磁场最小。更具体地说，本专利技术的腔室维持了高熵之后的低熵混合 状态，且影响放置在腔室中的工件的原子和分子结构。据此，这种腔室可用 于生物/生命科学、电子、计算机科学、能量产生、推进器、粒子物理、电磁 学、化学、制药和材料科学。本专利技术其他应用领域可从下文提供的详细描述中更明显可见。应理解的 是，详细描述和示出了本专利技术的优选实施例的一些具体实例都仅用于解释本 专利技术，而不是对本专利技术范围的限制。附图说明从详细描述和所附附图可更加全面地理解本专利技术。附图中图1示出了本专利技术的等轴剖视图2A、 2B和2C为图1所示腔室的截面图3A和3B为图1所示腔室的分解视图4示意性地示出了本专利技术；图5示出了本专利技术一可供选择的实施例；图6A和6B示出了本专利技术一可供选择的实施例；图7示出了本专利技术一可供选择的实施例；图8A和8B的截面图示出了腔室的内部；图9示意地示出了一回转的(gyrosc叩ic)实施例；图lO和ll示出了本专利技术的一些可供选择的实施例；图12示出了带有桥式连接部的单一腔室；图13为图14和15的单一腔室的截面图14示出了所谓ESD ( Entropic Step Down,降熵)的本专利技术的一可供 选择的实施例；图15示出了所谓EPS (Entropic Perturbation System,熵护u动系统)的 本专利技术的一可供选择的实施例；图16示出了用于本专利技术的波消除装置。具体实施例方式参考所附附图，其中相同的附图标记代表相同的元件，图l为一示例性 实施例中的球形校准机构腔室10的部分剖视图。腔室IO以多层形式、即以将处于腔室10内部的工件14包围起来的一系列嵌套壳层12的形式构成。 外结构壳体(casing) 16形成腔室10的外表面。在该结构壳体16中，存在 包围超导壳层20的电磁屏蔽层18。超导壳层20优选浸入容纳于贮槽24中 的低温冷却剂22中。贮槽24优选由位于超导壳层20的相对侧的一对杜瓦 瓶26、 28形成，即超导壳层被密封在外杜瓦瓶26和内杜瓦瓶28之间。内 杜瓦瓶28优选被内壳体30保护起来，内壳体30围绕腔室10的内部。如图2A所示，腔室10可由位于支承结构36中的两个互相连接的半球 体32、 34形成。具体地说，极38对准半球体32、 34,同时允许上半球体 32相对于下半球体34滑动并将下半球体34保持在适当位置。半球体32、 34优选包括重叠部分40，该重叠部分40与可以提供压力密封42，的突缘42 密封在一起。图2B详细示出了重叠部分40中的腔室层12。每一个半球体 32、 34优选具有进口阀44， ^氐温冷却剂可以通过该进口阀44循环流动。腔 室IO打开时，可将工件14设置在平台46上或直接放置在内表面上。如图2C所示， 一旦腔室IO关闭，工件14和腔室IO的内部与外界电磁 辐射48屏蔽开来，外部电磁辐射48包括电场、磁场和噪声。在封闭的腔室 IO内侧，工件14处于熵隔离环境中。具体地说，当腔室10打开时，腔室中 的工件14所处的熵水平(entropic level)近似等于围绕腔室IO外部的周围 环境。然而， 一旦腔室IO封闭，包括工件14在内的腔室10内部具有较高 的熵静态水平(entropic stasis level )。电磁场屏蔽18可由许多材料制造,这 些材料包括铅、铌和如MUMETAL (镍铁高导磁率合金)和/或METGLAS (金属玻璃非晶态金属)之类的金属合金以及这些屏蔽材料的结合。例如， 可将铅箔和/或铌背衬与杜瓦瓶26或28制造在一起或加到杜瓦瓶26或28 上。可在腔室10内、通过真空或加压系统、相对于标准大气条件形成内部 真空或加压状态，并分别通过加压突缘42密封。工件台46可包括用于这些 系统46'、 46"的才几构。图3A和3B为腔室层12的分解视图。超导壳层可形成为固态、连续的 壳层20'，如重叠壳层部分20，，或其任何等效形式。应理解的是，嵌套超导壳层还可用在本专利技术的其他实施例中。如上所述，优选的是，由超导壳层20 完全包围腔室10的内部区域。屏蔽18可由多层制成，如可以是与铅箔和/ 或铌背衬18"结合的MUMETAL和/或METGLAS 18，的一层。应理解的是，可将腔室的内部IO维持在与周围相同的压力和温度条件， 且不需要低温冷却或抽真空以使腔室10中的熵静态水平超过腔室IO外界周 围环境的熵静态水平。当使用低温冷却剂时，双杜瓦瓶使冷却剂与腔室10 的内部及外部之间的传热最少。低温冷却剂的例子包括液氮、液氲、液氦和 铝泡沫剂中的固态氮。还应理解的是，本专利技术中可使用任何超导元件，包括 目前已知的第一类和第二类超导体以及它们的等同物，这些等同物包括任何 可以由在海平面标准条件下、即室温下具有超导电性的材料制成的超导体。 对于某些应用来说，可以使用单个杜瓦瓶。图4示出了腔室的大致的示意性布置形式。按库伦定律(coulombically ) 呈现为具有球体半径R、正位于超导壳层表本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于减弱工件中强作用力键的腔室，该腔室包括： 一位于所述工件周围的电磁屏蔽，其中，所述电磁屏蔽基本上不受电磁辐射、电场和磁场的影响；和 一超导壳层，其位于所述电磁屏蔽中且围绕所述工件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬B凯斯勒，
申请(专利权)人：斯蒂芬B凯斯勒，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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