导热EMI吸收体制造技术

公开了导热EMI吸收体的示例性实施方式。在示例性实施方式中，该导热EMI吸收体可具有至少6瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率以及在10千兆赫(GHz)或更高的频率下大于15分贝每厘米(dB/cm)的衰减。米(dB/cm)的衰减。米(dB/cm)的衰减。

【技术实现步骤摘要】
导热EMI吸收体


[0001]本公开涉及导热EMI吸收体。

技术介绍

[0002]本节提供了与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术。
[0003]诸如半导体、集成电路封装、晶体管等的电气部件通常具有预先设计的温度，电气部件在这些温度下最佳地操作。理想情况下，预先设计的温度接近周围空气的温度。但是电气部件的操作生成热。如果热不去除，则电气部件可能在显著高于其正常或可取的操作温度的温度下操作。这样过高的温度可能不利地影响电气部件的操作特性和相关装置的操作。
[0004]为了避免或至少减少来自热生成的不利操作特性，应该例如通过将来自操作电气部件的热传导到热沉来去除热。然后可通过传统对流和/或辐射技术来冷却热沉。在传导期间，热可通过电气部件与热沉之间的直接表面接触和/或通过电气部件和热沉表面经由中间介质或热界面材料(TIM)的接触来从操作电气部件传递到热沉。与利用空气(相对差的热导体)填充间隙相比，可使用热界面材料来填充热传递表面之间的间隙以便增加热传递效率。
[0005]另外，电子装置的工作中的常见问题是在设备的电子电路内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括基质和在所述基质中的至少一种功能性填料的导热EMI吸收体，其中：所述导热EMI吸收体具有大于6瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率；并且所述导热EMI吸收体具有在10千兆赫(GHz)或更高的频率下大于15分贝每厘米(dB/cm)的衰减。2.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少11W/mK的热导率。3.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少11.5W/mK的热导率。4.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少12W/mK的热导率。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有：在20GHz或更高的频率下大于34dB/cm的衰减；在40GHz或更高的频率下大于66dB/cm的衰减；以及在60GHz或更高的频率下大于90dB/cm的衰减。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有：在10GHz的频率下至少22dB/cm的衰减；在20GHz的频率下至少39dB/cm的衰减；在28GHz的频率下至少53dB/cm的衰减；在39GHz的频率下至少7...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：莱尔德技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：