导热EMI吸收体制造技术

公开了导热EMI吸收体的示例性实施方式。在示例性实施方式中，该导热EMI吸收体可具有至少6瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率以及在10千兆赫(GHz)或更高的频率下大于15分贝每厘米(dB/cm)的衰减。米(dB/cm)的衰减。米(dB/cm)的衰减。

【技术实现步骤摘要】
导热EMI吸收体


[0001]本公开涉及导热EMI吸收体。

技术介绍

[0002]本节提供了与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术。
[0003]诸如半导体、集成电路封装、晶体管等的电气部件通常具有预先设计的温度，电气部件在这些温度下最佳地操作。理想情况下，预先设计的温度接近周围空气的温度。但是电气部件的操作生成热。如果热不去除，则电气部件可能在显著高于其正常或可取的操作温度的温度下操作。这样过高的温度可能不利地影响电气部件的操作特性和相关装置的操作。
[0004]为了避免或至少减少来自热生成的不利操作特性，应该例如通过将来自操作电气部件的热传导到热沉来去除热。然后可通过传统对流和/或辐射技术来冷却热沉。在传导期间，热可通过电气部件与热沉之间的直接表面接触和/或通过电气部件和热沉表面经由中间介质或热界面材料(TIM)的接触来从操作电气部件传递到热沉。与利用空气(相对差的热导体)填充间隙相比，可使用热界面材料来填充热传递表面之间的间隙以便增加热传递效率。
[0005]另外，电子装置的工作中的常见问题是在设备的电子电路内生成电磁辐射。这种辐射会导致电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)，该EMI或RFI会干扰一定距离内的其他电子装置的操作。在没有充分屏蔽的情况下，EMI/RFI干扰会引起重要信号的劣化或完全丢失，从而致使电子设备低效或不可操作。
[0006]减轻EMI/RFI影响的常见解决方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重定向EMI能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常被采用来使EMI/RFI位于其源内，并且隔离邻近EMI/RFI源的其他装置。
[0007]本文所用的术语“EMI”应当被认为总体上包括并指EMI发射和RFI发射，并且术语“电磁”应当被认为通常包括并指来自外部源和内部源的电磁频率和射频。因此，(如这里所用的)术语屏蔽广泛地包括并指诸如通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其某一组合减轻(或限制)EMI和/或RFI，使得EMI和/或RFI例如对于电子部件系统的政府合规和/或内部功能不再干扰。

技术实现思路

[0008]这个部分提供对本公开的总体概述，但并不是对其完整范围或全部特征的全面公开。
[0009]示例性实施方式公开了导热电磁干扰(EMI)吸收体。在示例性实施方式中，导热EMI吸收体可具有至少6瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率以及在10千兆赫(GHz)或更高的频率下大于15分贝每厘米(dB/cm)的衰减。
[0010]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有至少11W/mK的热导率。
[0011]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有至少11.5W/mK的热导率。
[0012]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有至少12W/mK的热导率。
[0013]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有：
[0014]在20GHz或更高的频率下大于34dB/cm的衰减；
[0015]在40GHz或更高的频率下大于66dB/cm的衰减；以及
[0016]在60GHz或更高的频率下大于90dB/cm的衰减。
[0017]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有：
[0018]在10GHz的频率下至少22dB/cm的衰减；
[0019]在20GHz的频率下至少39dB/cm的衰减；
[0020]在28GHz的频率下至少53dB/cm的衰减；
[0021]在39GHz的频率下至少76dB/cm的衰减；以及
[0022]在77GHz的频率下至少135dB/cm的衰减。
[0023]在示例性实施方式中，所述导热EMI吸收体具有至少11.5W/mK的热导率。
[0024]在示例性实施方式中：
[0025]所述导热EMI吸收体具有三秒下约58肖氏00或更小的硬度以及三十秒下约37肖氏00或更小的硬度；
[0026]所述导热EMI吸收体具有UL V
‑
0的UL可燃性等级；
[0027]所述导热EMI吸收体是介电的而非导电的；并且
[0028]所述导热EMI吸收体不包括有机硅，基本上完全无有机硅，和/或能够在不发生有机硅迁移的情况下使用。
[0029]在示例性实施方式中：
[0030]所述导热EMI吸收体包括重量至少90％的所述至少一种功能性填料；并且所述导热EMI吸收体包括重量小于10％的所述基质；和/或
[0031]所述导热EMI吸收体包括体积至少80％的所述至少一种功能性填料，并且所述导热EMI吸收体包括体积小于20％的所述基质。
[0032]在示例性实施方式中：
[0033]所述基质包括热可逆油凝胶；和/或
[0034]所述基质包括嵌段共聚物和工艺用油，
[0035]所述基质包括二嵌段共聚物和/或三嵌段共聚物。
[0036]在示例性实施方式中，所述基质包括没有化学交联的工艺用油和嵌段共聚物，使得所述导热EMI吸收体是热可逆热塑性材料。
[0037]在示例性实施方式中，所述至少一种功能性填料包括氧化锌、碳化硅、羰基铁、氧化铝、氮化铝、铝、氮化硼、氮化硅、铁、石墨、铁氧体、氢氧化铝和/或硅石中的一种或更多种。
[0038]在示例性实施方式中：
[0039]所述至少一种功能性填料基本上由羰基铁、碳化硅、氧化锌、氮化铝和氧化铝组成；或者
[0040]所述至少一种功能性填料基本上由氧化锌、碳化硅和氮化铝组成；或者
[0041]所述至少一种功能性填料基本上由碳化硅和氧化铝组成。
[0042]在示例性实施方式中，所述基质包括工艺用油、二嵌段聚合物、偶联剂和硅石。
[0043]在示例性实施方式中，所述基质包括石蜡工艺用油、具有二嵌段结构的苯乙烯
‑
乙烯
‑
丙烯SEP线型聚合物和偶联剂。
[0044]在示例性实施方式中，所述基质包括非有机硅聚合物基质。
[0045]在示例性实施方式中，所述非有机硅聚合物基质包括非有机硅油凝胶树脂，和/或其中，所述非有机硅聚合物基质包括：
[0046]苯乙烯和乙烯/丁烯共聚物；和/或
[0047]苯乙烯和乙烯/丙烯共聚物。
[0048]在示例性实施方式中：
[0049]所述基质包括工艺用油、二嵌段聚合物和偶联剂；并且
[0050]所述至少一种功能性填料包括碳化硅。
[0051]在示例性实施方式中：
[0052]所述至少一种功能性填料还包括氧化铝；或者
[0053]所述至少一种功能性填料还包括氧化锌、羰基铁、氮化铝和氧化铝；或者
[0054]所述至少一种功能性填料还包括氧化锌和氮化铝。
[0055]在示例性实施方式中：
[0056]所述导热EMI吸收体具有UL V
‑
0的UL可燃性等级；
[0057]所述导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括基质和在所述基质中的至少一种功能性填料的导热EMI吸收体，其中：所述导热EMI吸收体具有大于6瓦特每米每开尔文(W/mK)的热导率；并且所述导热EMI吸收体具有在10千兆赫(GHz)或更高的频率下大于15分贝每厘米(dB/cm)的衰减。2.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少11W/mK的热导率。3.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少11.5W/mK的热导率。4.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有至少12W/mK的热导率。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有：在20GHz或更高的频率下大于34dB/cm的衰减；在40GHz或更高的频率下大于66dB/cm的衰减；以及在60GHz或更高的频率下大于90dB/cm的衰减。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体，其中，所述导热EMI吸收体具有：在10GHz的频率下至少22dB/cm的衰减；在20GHz的频率下至少39dB/cm的衰减；在28GHz的频率下至少53dB/cm的衰减；在39GHz的频率下至少7...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：莱尔德技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：