埋入式芯片基板结构制造技术

本发明专利技术是关于一种埋入式芯片基板结构，包含有一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于该基板的第一面上以及一第二金属层设于该基板的第二面上，其中该基板的该第一面上设有一凹穴；一金属槽体，嵌入在该凹穴中，且该金属槽体具有一平坦底部；一半导体芯片，固定于该金属槽体的该平坦底部；一介电层，覆盖在该基板的第一面上；至少一增层线路层，设于该介电层上；一防焊阻剂层，覆盖在该增层线路层及该介电层上；一散热金属层，覆盖在该第二金属层上；以及复数散热插塞，连结该金属槽体的该平坦底部及该散热金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种封装基板结构，特别是有关于一种埋入式芯片基板结 构及其制作方法。
技术介绍
随集成电路技术的快速发展，高性能微处理器封装的设计越来越具有挑战性。未来的微处理器将有更多的信号引脚；引脚阻抗及引脚间串扰的控制 要求更加严格；更大的功耗和更好的散热。对微电子封装而言，其电气性能 和发热管理为两个主要挑战。电气上，封装要最大限度地保证信号完整性和 半导体器件的工作频率，这项任务通常由于封装设计引入到器件-封装-主板 的过大的总感抗而变得难以完成。另一方面，封装也负责半导体芯片所在区 域的散热工作。除去电气与散热的考虑，越来越小的最终产品要求封装尺寸减小并容许 更密的输入输出连接。未来的微处理器还可能要求同一封装集成多个芯片、 光电部件；部件间距最小化；部件间内连接数量的最大化；更苛刻的信号时 序、阻抗匹配和噪声控制。综上所述，现有的封装技术如FCPGA(flip-chip pin grid array)已不能满足要求。为解决目前的封装技术所面临瓶颈，英特尔(Intel)公司发展出一种称作 "无凸块嵌入式封装(Bumpless Build-Up Layer,以下简称为BB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋入式芯片基板结构，包含有：　一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于所述的基板的第一面上以及一第二金属层设于所述的基板的第二面上，其中所述的基板的所述的第一面上设有一凹穴；　一金属槽体，嵌入在所述的凹穴中，且所述的金属槽体具有一平坦底部；　一半导体芯片，固定于所述的金属槽体的所述的平坦底部；　一介电层，覆盖在所述的基板的第一面上；　至少一增层线路层，设于所述的介电层上；　一防焊阻剂层，覆盖在所述的增层线路层及所述的介电层上；　一散热金属层，覆盖在所述的第二金属层上；以及　复数散热插塞，连结所述的金属槽体的所述的平坦底部及所述的散热金属层；　其中所述的半导体芯片运作时产生的热，可经由所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兴伦，林世宗，林贤杰，江国春，
申请(专利权)人：南亚电路板股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]