电路板结构及其制造方法技术

技术编号:26895758 阅读:32 留言:0更新日期:2020-12-29 16:22
一种电路板结构,其包含缓冲层、第一互连结构、第二互连结构和可挠式互连结构;第一互连结构设置于缓冲层的第一侧;第二互连结构设置于缓冲层的第二侧,其中第二侧与第一侧相反;可挠式互连结构设置于缓冲层和第一互连结构之间且延伸至缓冲层和第二互连结构之间。

【技术实现步骤摘要】
电路板结构及其制造方法
本专利技术涉及电路板制造技术,特别涉及电路板结构及其制造方法。
技术介绍
印刷电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)广泛地应用于各种电子设备中,以固定集成电路(integratedcircuit,IC)及其他电子元件,并在印刷电路板上形成导线,使得这些元件可以彼此电性连接。然而,现有的电路板结构的制造方法虽大致符合需求,但并非在每个面向皆令人满意。举例来说,随着需要的层板数量增加,制造时程和相关成本也大幅提升,且工艺增加也容易在电路板结构形成缺陷。因此,需要进一步改良电路板结构及其制造方法,以降低生产成本并提升良率。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例,提供电路板结构。此电路板结构包含缓冲层;第一互连结构,设置于缓冲层的第一侧;第二互连结构,设置于缓冲层的第二侧,其中第二侧与第一侧相反;以及可挠式互连结构,设置于缓冲层和第一互连结构之间且延伸至缓冲层和第二互连结构之间。在一些实施例中,缓冲层包含介电材料。在一些实施例中,第一互连结构和第二互连结构包含相同的材料。在一些实施例中,可挠式互连结构包含:可挠式介电层;第一导电结构,设置于可挠式介电层中且位于缓冲层的第一侧;以及第二导电结构,设置于可挠式介电层中且位于缓冲层的第二侧。在一些实施例中,第一导电结构与第一互连结构电性连接,且第二导电结构与第二互连结构电性连接。在一些实施例中,第一导电结构的一部分和第二导电结构的一部分位于缓冲层内。在一些实施例中,可挠式介电层包含不含玻璃纤维的树脂。在一些实施例中,第一导电结构和第二导电结构具有突出部延伸至缓冲层的第三侧,且第三侧位于第一侧和第二侧之间。在一些实施例中,此电路板结构还包含金属层设置于可挠式互连结构上且位于缓冲层的第三侧,其中金属层电性连接第一导电结构和第二导电结构。根据本公开的一些实施例,提供电路板结构的制造方法。此方法包含在可挠式互连结构的第一表面上形成第一互连结构和第二互连结构,其中第一互连结构和第二互连结构之间具有沟槽;在可挠式互连结构的第二表面上形成缓冲层,其中可挠式互连结构位于缓冲层的第一侧;以及折叠可挠式互连结构,使得可挠式互连结构覆盖缓冲层的第二侧和第三侧,其中第二侧相反于第一侧且第三侧位于第一侧和第二侧之间,且在折叠可挠式互连结构之后,第一互连结构位于缓冲层的第一侧且第二互连结构位于缓冲层的第二侧。在一些实施例中,第一互连结构和第二互连结构的形成包含:在可挠式互连结构的第一表面上形成互连结构;以及形成沟槽穿过互连结构,使得互连结构形成第一互连结构和第二互连结构。在一些实施例中,此方法还包含:在可挠式互连结构的第一表面上形成停止层结构(牺牲结构),其中停止层结构位于第一互连结构和第二互连结构之间;以及在折叠可挠式互连结构之前,移除停止层结构。在一些实施例中,停止层结构的材料包含导电材料,且停止层结构的移除包含进行蚀刻工艺。在一些实施例中,在移除停止层结构之后,在沟槽正下方的可挠式互连结构的厚度小于在第一互连结构正下方的可挠式互连结构的厚度。在一些实施例中,可挠式互连结构包含:可挠式介电层;第一导电结构,设置于可挠式介电层中且位于缓冲层的第一侧;以及第二导电结构,设置于可挠式介电层中且位于缓冲层的第二侧。在一些实施例中,第一导电结构和第二导电结构具有突出部延伸至沟槽正下方。在一些实施例中,此方法还包含移除可挠式介电层的一部分,使得可挠式介电层的侧壁与第一互连结构的侧壁和第二互连结构的侧壁共平面。在一些实施例中,此方法还包含在移除可挠式介电层的所述部分之后,进行钻孔工艺以露出第一导电结构和第二导电结构。在一些实施例中,此方法还包含在缓冲层的第三侧上形成金属层,其中金属层覆盖第一互连结构、可挠式互连结构、缓冲层和第二互连结构,且金属层电性连接第一导电结构和第二导电结构,且金属层与第一互连结构和第二互连结构隔开。在一些实施例中,金属层的形成包含:进行无电镀铜工艺以在缓冲层的第三侧上形成导电衬层;以及进行电镀工艺以在导电衬层上形成金属层。附图说明以下将配合说明书附图详述本专利技术的实施例。应注意的是,依据产业上的标准做法,各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以清楚地表现出本专利技术的特征。图1A至图1I是根据一些实施例示出在制造电路板结构的各个阶段的剖面示意图。附图标记说明:100~电路板结构;100A~第一互连结构;100B~第二互连结构;102、104、106、108~介电层;110~可挠式介电层;112、112’~沟槽;114~缓冲层;116~防焊层;202、204、206、208、210、210A、210B~导电结构;207~停止层结构;212~部分;214~金属层;216~保护层;P~突出部;S1~第一侧;S2~第二侧;S3~第三侧;W1、W2、W4~距离;W3~宽度。具体实施方式以下概述一些实施例,以使得本专利技术所属
中技术人员可以更容易理解本专利技术。然而,这些实施例只是范例,并非用于限制本专利技术。可以理解的是,本专利技术所属
中技术人员可以根据需求,调整以下描述的实施例,例如改变工艺顺序及/或包含比在此描述的更多或更少步骤,并且这些调整并未超出本专利技术的范围。此外,可以在以下叙述的实施例的基础上添加其他元件。举例来说,“在第一元件上形成第二元件”的描述可能包含第一元件与第二元件直接接触的实施例,也可能包含第一元件与第二元件之间具有其他元件,使得第一元件与第二元件不直接接触的实施例,并且第一元件与第二元件的上下关系可能随着装置在不同方位操作或使用而改变。另外,本专利技术可能在不同的实施例中重复参考数字及/或字母,此重复是为了简化和清楚,而非用以表示所讨论的不同实施例之间的关系。以下根据本专利技术的一些实施例,描述电路板结构及其制造方法。本专利技术在电路板结构设置可挠式介电层,并在可挠式介电层上设置具有沟槽的互连结构,以减少生产流程,进而提升电路板结构的良率。图1A至图1I是根据一些实施例示出在制造电路板结构100的各个阶段的剖面示意图。在一些实施例中,如图1A所示,电路板结构100包含介电层102。在一些实施例中,介电层102的材料包含纤维和树脂。在一些实施例中,纤维包含玻璃纤维,以增加硬度并降低热膨胀系数。在一些实施例中,树脂包含环氧树脂、双马来亚酰胺-三氮杂苯(bismaleimidetriacine,BT)树脂、ABF膜(ajinomotobuild-upfilm)、聚苯醚(polyphenyleneoxide,PPE)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)、类似的材料或前述的组合。在一些实施例中,介电层102的形成方法包含涂布本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电路板结构,包括:/n一缓冲层;/n一第一互连结构,设置于该缓冲层的一第一侧;/n一第二互连结构,设置于该缓冲层的一第二侧,其中该第二侧与该第一侧相反;以及/n一可挠式互连结构,设置于该缓冲层和该第一互连结构之间且延伸至该缓冲层和该第二互连结构之间。/n

【技术特征摘要】
20190626 TW 1081222381.一种电路板结构,包括:
一缓冲层;
一第一互连结构,设置于该缓冲层的一第一侧;
一第二互连结构,设置于该缓冲层的一第二侧,其中该第二侧与该第一侧相反;以及
一可挠式互连结构,设置于该缓冲层和该第一互连结构之间且延伸至该缓冲层和该第二互连结构之间。


2.如权利要求1所述的电路板结构,其中该缓冲层包括介电材料。


3.如权利要求1所述的电路板结构,其中该第一互连结构和该第二互连结构包括相同的材料。


4.如权利要求1所述的电路板结构,其中该可挠式互连结构包括:
一可挠式介电层;
一第一导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第一侧;以及
一第二导电结构,设置于该可挠式介电层中且位于该缓冲层的该第二侧。


5.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构与该第一互连结构电性连接,且该第二导电结构与该第二互连结构电性连接。


6.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构的一部分和该第二导电结构的一部分位于该缓冲层内。


7.如权利要求4所述的电路板结构,其中该可挠式介电层包括不含玻璃纤维的树脂。


8.如权利要求4所述的电路板结构,其中该第一导电结构和该第二导电结构具有一突出部延伸至该缓冲层的一第三侧,且该第三侧位于该第一侧和该第二侧之间。


9.如权利要求8所述的电路板结构,还包括一金属层设置于该可挠式互连结构上且位于该缓冲层的该第三侧,其中该金属层电性连接该第一导电结构和该第二导电结构。


10.一种电路板结构的制造方法,包括:
在一可挠式互连结构的一第一表面上形成一第一互连结构和一第二互连结构,其中该第一互连结构和该第二互连结构之间具有一沟槽;
在该可挠式互连结构的一第二表面上形成一缓冲层,其中该可挠式互连结构位于该缓冲层的一第一侧;以及
折叠该可挠式互连结构,使得该可挠式互连结构覆盖该缓冲层的一第二侧和一第三侧,其中该第二侧相反于该第一侧且该第三侧位于该第一侧和该第二侧之间,且在折叠该可挠式互连结构之后,该第一互连结构位于该缓冲层的该第一侧且该第二互连结构位于该缓冲层的该第二侧。

【专利技术属性】
技术研发人员:林奂廷郭旻桓庄育杰
申请(专利权)人:南亚电路板股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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