一种半导体器件的制备方法技术

本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：形成顶层金属层于述半导体层上；形成绝缘层于半导体层上以覆盖第一金属结构与第二金属结构，且绝缘层上表面的最低处高于顶层金属层的顶面；平坦化绝缘层；刻蚀绝缘层以形成第一凹槽，第一凹槽位于第二金属结构上方且底面高于第二金属结构的顶面；刻蚀绝缘层以形成第二凹槽，并加深第一凹槽直至底部显露第二金属结构，第二凹槽在水平方向上与第一、第二金属结构均间隔设置。本申请通过增加绝缘层厚度，同时加入平坦化工艺，并通过分步刻蚀来打开第二金属结构上方的绝缘层，在该过程中，第一金属结构上方的绝缘层能够得到很好的保护，从而降低了第一金属结构损伤的概率，有利于提升产品良率。利于提升产品良率。利于提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法


[0001]本申请属于半导体
，涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体器件是依靠平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件，首先是在衬底上划分制备晶体管的区域(active area)，然后是通过离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后是再次离子注入，完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在衬底上实现N型和P型场效应晶体管，又被称为前道工艺(front end of line，FEOL)。与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，用于建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。
[0003]在半导体制造工艺中，顶层金属(Top Metal)是不可缺少的一部分。在晶圆级生产过程中，在去除某些顶层金属结构上的氧化层时，容易损伤另一些需要被保护的特殊图形顶层金属结构上方的氧化层，进而容易使这些特殊图形顶层金属结构产生损伤，造成品质问题。
[0004]因此，如何改进半导体器件的制备方法，以提高产品良本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层(201)，形成顶层金属层于所述半导体层(201)上，所述顶层金属层包括在水平方向上间隔设置的第一金属结构(202)与第二金属结构(203)；形成绝缘层(204)于所述半导体层(201)上，所述绝缘层(204)覆盖所述第一金属结构(202)与所述第二金属结构(203)，且所述绝缘层(204)上表面的最低处高于所述顶层金属层的顶面；平坦化所述绝缘层(204)以得到一绝缘平面(M)，所述绝缘平面(M)高于所述顶层金属层的顶面；刻蚀所述绝缘层(204)以形成第一凹槽(207)，所述第一凹槽(207)位于所述第二金属结构(203)上方，且所述第一凹槽(207)的底面高于所述第二金属结构(203)的顶面；刻蚀所述绝缘层(204)以形成第二凹槽(211)，并加深所述第一凹槽(207)直至所述第一凹槽(207)的底部显露所述第二金属结构(203)，所述第二凹槽(207)在水平方向上与所述第一金属结构(202)及所述第二金属结构(203)均间隔设置。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成第一掩膜层(205)于所述绝缘平面(M)上，并图形化所述第一掩膜层(205)以得到第一开口(206)，所述第一开口(206)位于所述第二金属结构(203)上方；基于所述第一开口(206)刻蚀所述绝缘层以得到所述第一凹槽(207)，所述第一凹槽(207)的底面高于所述第二金属结构(203)的顶面；形成第二掩膜层(208)于所述绝缘平面(M)上，并图形化所述第二掩膜层(208)以得到间隔设置的第二开口(209)及第三开口(210)，所述第二开口(209)位于所述第二金属结构(203)上方，所述第一金属结构(202)上方的所述绝缘层(204)上仍覆盖有所述第二掩膜层(208)；基于所述第二开口(209)与所述第三开口(210)刻蚀所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚健文，王晶，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：