半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法。所述平坦化方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括功能结构层以及覆盖所述功能结构层的介质层；在预设的压力条件下将一基板压向所述介质层的顶表面，直至所述基板与所述半导体结构被键合在一起；所述介质层能在预设的压力条件下变形，以使得所述介质层的顶表面贴合所述基板的底表面完成所述键合；将所述基板从所述介质层上剥离。本发明专利技术所提供的半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法，平坦化工艺的加工成本低。本低。本低。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]为提高异质结双极晶体管(HBT，Heterojunction bipolar transistor)的频率特性，HBT器件的尺寸越来越小，电极的连接和引出越来越困难。现有技术中，小尺寸HBT的连接通常采用微空气桥或介质涂覆平坦化的方法。
[0003]其中，微空气桥的方法存在抗机械损伤能力差，工艺可控性差，HBT的性能不稳定的缺点。而介质涂覆平坦化的方法虽然不存在如性能不稳定等严重问题，但是因为HBT本身的发射极、基极和集电极之间存在较大的高度差，为了达到更好的平坦化水平，需要涂覆较厚的介质材料，增加后续平坦化工艺的加工成本。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构的制备方法。
[0005]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：r/>[0006]第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的平坦化方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括功能结构层以及覆盖所述功能结构层的介质层；在预设的压力条件下将一基板压向所述介质层的顶表面，直至所述基板与所述半导体结构被键合在一起；所述介质层能在预设的压力条件下变形，以使得所述介质层的顶表面贴合所述基板的底表面完成所述键合；所述介质层的顶表面为所述介质层的背离所述功能结构层一侧的表面；所述基板的底表面为所述基板的朝向所述介质层一侧的表面；将所述基板从所述介质层上剥离。2.根据权利要求1所述的半导体结构的平坦化方法，其特征在于，所述在预设的压力条件下将一基板压向所述介质层的顶表面，包括：以10g/cm2～30g/cm2的压强，将所述基板压向所述介质层的顶表面。3.根据权利要求2所述的半导体结构的平坦化方法，其特征在于，所述将所述基板压向所述介质层的顶表面的环境温度为：115摄氏度～130摄氏度。4.根据权利要求1所述的半导体结构的平坦化方法，其特征在于，所述基板的底表面的TTV小于3微米。5.根据权利要求4所述的半导体结构的平坦化方法，其特征在于，所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹微微，刘国安，
申请(专利权)人：中芯越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：