温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：形成顶层金属层于述半导体层上；形成绝缘层于半导体层上以覆盖第一金属结构与第二金属结构，且绝缘层上表面的最低处高于顶层金属层的顶面；平坦化绝缘层；刻蚀绝缘层以形成第一凹槽，第一凹槽位于第二金属...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。