浅沟槽隔离结构平坦化的方法技术

本发明专利技术提供一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成隔离沟槽；于所述隔离沟槽内形成填充层且所述填充层延伸至有源区；采用等离子体处理工艺将形成于所述有源区的所述填充层表面的尖角进行去除。通过本发明专利技术降低了浅沟槽隔离结构平坦化过程中有源区的尖角折断造成的晶圆表面划伤的风险。断造成的晶圆表面划伤的风险。断造成的晶圆表面划伤的风险。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构平坦化的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法。

技术介绍

[0002]随着浅沟槽隔离结构尺寸的逐渐减小，单纯依靠HDP溅射工艺已经无法满足填充需求。目前，受限于高深宽比(HARP)工艺对形貌(profile)的严格要求，通常我们采用HDP“dep
‑
etch”循环的方式，也即是SPM(Sequential Profile Modulation)方法，实现对隔离沟槽的无空洞(void free)填充来形成浅沟槽隔离结构。但随着循环次数的增加，器件有源区(AA)上累计的膜层会越来越厚，因此，在完成对隔离沟槽(trench)无空洞填充时，有源区上方累积的膜层会形成突出尖角，在这种情况下，若对浅沟槽隔离结构进行化学机械研磨，会使得尖角折断从而对晶圆造成划伤(如图1所示)。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法，用于降低在浅沟槽隔离结构平坦化过程中有源区的尖角折断造成的晶圆表面划伤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成隔离沟槽；于所述隔离沟槽内形成填充层且所述填充层延伸至有源区；采用等离子体处理工艺将形成于所述有源区的所述填充层表面的尖角进行去除。2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构平坦化的方法，其特征在于，在采用等离子体处理工艺去除所述尖角过程中所用到的刻蚀气体包括氦气及氧气。3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构平坦化的方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括氢气。4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构平坦化的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琳，谈娟，王妍，管毓崧，唐阿鑫，李宗旭，梁金娥，张守龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：