【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体硅片加工设备部件，尤其涉及一种等离子刻蚀设备的反应腔室 及其排气装置。
技术介绍
等离子刻蚀设备是半导体硅片加工设备中的常用设备，用于对半导体硅片进行刻蚀加 工，该生产流程称之为千法刻蚀。 一般而言，干法刻蚀需要在反应腔室内形成等离子体， 因此需要在反应腔室上部介质窗施加射频，使得进入反应腔内的工艺气体激发成等离子 体，对半导体硅片进行刻蚀加工。由于反应腔室的组成材料一般为铝，尽管反应腔室表面 己经做了表面处理(一般为阳极氧化处理)，仍然会与反应气体等离子体反应，造成设备 零件的损坏或者聚合物的沉积。因此，需要在刻蚀过程中将等离子体限制在某一定区域 内，将真空与等离子体分离。另外，为了使硅片上不同部分的刻蚀效果相同，需要使等离 子体在硅片的上方均匀分布。限制等离子体分布的方法一种是增加电子的寿命，以增加等离子效率， 一般这种方法在RIE (活性离子刻蚀机)刻蚀设备中使用，但是该方法由于功率较大，仍然会对反应腔造 成损坏。因此，目前设备中主要采用添加一个排气环的方法，将等离子体限制在某一定区域内。如图1所示，现有的等离子体刻蚀装置，包括反应...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵梦欣，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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