【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种反应腔室及其内衬。
技术介绍
半导体晶片加工包括金属层、介电层和半导体材料层的化学气相沉积(CVD)，这样 的沉积处理包括对这些层的刻蚀、光刻胶掩膜层的抛光等等。在刻蚀的情况中，等离子体 刻蚀通常用于刻蚀金属层、介电层和半导体材料。等离子刻蚀机主要是在反应腔室中利用等离子体对晶片进行物理及化学反应而工作 的。在低压下，工艺气体在射频功率的激发下，产生电离形成等离子体，等离子体是由带 电的电子和离子组成的，反应腔室中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸 收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团与被刻蚀物质表面产生化学反应并形成挥发 性的反应生成物。反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出反应腔室。在对晶片进行刻蚀的过程中，晶片刻蚀的均匀性是刻蚀工艺的一个极其重要的指标， 而与该指标密切相关的是工艺气体进入反应腔室后形成的气流分布情况。如果反应腔室内的气体分布不均匀，则将导致在腔室内部的晶片表面上的刻蚀速率和 均匀性有较大的变化，影响最终的刻蚀效果。目前晶片的尺寸从100mm增加到300mm，反应 腔...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘少锋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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