等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可在短时间内处理工件被处理面的简单结构的等离子体处理装置。该等离子体处理装置（１）包括：具有从上端贯通到下端的中空部（４０）的第一电极（２）、用于设置工件（１０）的工件设置部（１００）、隔着工件设置部（１００）与第一电极（２）的下端相对地配置的第二电极（３）、在中空部（４０）的下端侧的开口部（４２２）的外周侧沿圆周方向形成的处理气体喷出部（５）、具有在第一电极（２）与第二电极（３）之间施加电压的电源（７２）的电源电路（７）、向处理气体喷出部（５）供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给装置（８），其构成为，通过在第一电极（２）与第二电极（３）之间施加电压来活化从处理气体喷出部（５）喷出并存在于开口部（４２２）附近的处理气体，从而生成等离子体，并利用该等离子体对工件（１０）的被处理面（１０１）进行等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在力口工材泮+的表面时，进4亍戶斤i胃等离子体chemical vaporization machining (以下简称"等离子体CVM"),它是向施加电压或高频 的电极供给反应气体，生成基于反应气体的基团(radical),通过去 除由该基团与工件的基团反应而生成的生成物质进行加工。近年来，在采用由等离子体激励的基团等活性种的所谓蚀刻法 中，提高基团密度并提高加工速度变得尤为重要。为了与此对应，已知的有使用可生成高密度基团的辊电极的等 离子体处理装置(例如日本专利文献1 )。此外，已知有使用空心阴 才及》文电电才及(hollow cathode discharge electrode )的等离子体处J里装 置(例如，日本专利文献2)。另一方面，随着近年来的处理面积大规^莫化，需要一种可应对 各种尺寸工件的简易构造的等离子体处理装置。为了与此对应，在现有技术的等离子体处理装置中，釆用一种 例如扫描电才及或工4牛而改变相互^f立置关系的同时进4亍处理的方法。然而，在上述的等离子体处理装置中，工4牛的加工戋文率、力口工 速度等不高，装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：　　　　第一电极，具有从上端到下端贯通的中空部；　　　　工件设置部，用于设置工件；　　　　第二电极，隔着所述工件设置部与所述第一电极的下端相对配置；　　　　处理气体喷出部，在所述中空部的下端侧开口的外周侧上沿着圆周方向形成；　　　　电源电路，具有在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的电源；以及　　　　气体供给装置，向所述处理气体喷出部供给用于生成等离子体的处理气体，　　　　所述等离子体处理装置的构成为，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压来活化从所述处理气体喷出部喷出、且存在于所述下端侧开口附近的所述处理气体，从而生成等离子体，并利用所述等离...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：五味一博，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]