【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体离子化制程，尤其涉及一种离子化装置。
技术介绍
在离子化机台中，通常包括一个反应腔(Arc Chamber), —个阴极(Cathode ) 以及一个灯丝。反应腔和阴极都是相互绝缘的。反应腔内充有需要离子化的气 体，阴极上加有600V及1.6A的电压。反应腔中的气体在阴极和灯丝的作用下 被离子化，随后通过专用设备注入到芯片表面。现有技术中，由于阴极的阴极头是光滑的且位于反应腔内部，被离子化的 气体很容易附着在阴极头上，当附着的气体越来越多的时候，这些附着物很容 易堵塞在反应腔和阴极中间的细小缝隙中，从而导致阴极和反应腔短接，进而 造成机台故障。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的离子化装置，其可以有效防止由于短接造 成的故障。为实现上述目的，本专利技术提供一种离子化装置，其至少包括一个反应腔和 一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其中，阴极 伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物 集中附着在阴极头的表面。与现有技术相比，本专利技术的阴极头表面粗糙，可以使离子...
【技术保护点】
一种离子化装置，至少包括一个反应腔和一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其特征在于：阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘升林，陈晓，董春荣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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