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本发明提供一种离子化装置,其至少包括一个反应腔和一个阴极,阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内;其中,阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。与现有技...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种离子化装置,其至少包括一个反应腔和一个阴极,阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内;其中,阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。与现有技...