基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。给惰性气体。给惰性气体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体器件的制造工序中，寻求异物少的成膜方法。关于异物的控制，作为一方法，有时进行不卸下反应管，通过气体清洁除去堆积于反应管内壁等的膜的方法(例如，专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008－78285号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，在使用了清洁气体的清洁工序中，由于包含金属材料的零件的表面和清洁气体反应，有时产生零件表面的腐蚀、变质。
[0008]本公开的目的在于提供一种能够防止清洁气体与包含金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀、变质的产生的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方案，提供一种技术，其具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向所述反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭所述反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于所述盖的面向所述反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在所述开口被所述盖封闭的状态下，向所述内部空间供给惰性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖及所述保护部件的至少任一个具备通过第一密封部件将所述盖与所述保护部件之间密封的第一密封部，所述内部空间由被所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面与所述第一密封部包围的空间构成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一密封部沿着所述保护部件的外周，遍及所述盖及所述保护部件的至少任一个的整周而设置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护部件在其外周端具有在所述内部空间与所述反应容器内的空间之间连通的一个或多个贯通孔。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述惰性气体供给系统构成为，经由设置于所述盖的面向所述内部空间的面的第一气体供给口向所述内部空间供给所述惰性气体。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖具备：气体导入口，其设置于面向与所述反应容器的开口端的抵接面的位置；以及气体流路，其使所述气体导入口和所述第一气体供给口以被连通的方式连接，所述反应容器具备设置于面向与所述盖的所述抵接面的位置的第二气体供给口，所述第二气体供给口和所述气体导入口配置成，在所述反应容器的所述开口被封闭的状态下，使所述第二气体供给口和所述气体导入口连通。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖以及所述开口端的至少任一个具备面向所述抵接面且沿着所述盖的外周设置的槽，所述第二气体供给口在所述开口被所述盖封闭的状态下，经由所述槽与所述气体导入口连接。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖及所述开口端的至少任一个具备第二密封部，该第二密封部沿着所述盖的外周设置，且在所述开口被所述盖封闭的状态下，通过第二密封部件将所述抵接面之间密封，从所述反应容器的中心观察，所述槽设置于比所述第二密封部靠内侧。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述盖部与所述反应容器的所述开口端之间设置有在所述开口被所述盖封闭的状态使所述槽和所述反应容器内的空间连通的间隙。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护部件设置成，在所述开口被所述盖封闭的状态下...

【专利技术属性】
技术研发人员：寿崎健一，池田优真，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：