基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。给惰性气体。给惰性气体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体器件的制造工序中，寻求异物少的成膜方法。关于异物的控制，作为一方法，有时进行不卸下反应管，通过气体清洁除去堆积于反应管内壁等的膜的方法(例如，专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008－78285号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]但是，在使用了清洁气体的清洁工序中，由于包含金属材料的零件的表面和清洁气体反应，有时产生零件表面的腐蚀、变质。
[0008]本公开的目的在于提供一种能够防止清洁气体与包含金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀、变质的产生的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方案，提供一种技术，其具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向所述反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭所述反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于所述盖的面向所述反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在所述开口被所述盖封闭的状态下，向所述内部空间供给惰性气体。
[0011]专利技术效果
[0012]能够提供一种可以防止清洁气体与包含金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀、变质的产生的技术。
附图说明
[0013]图1是表示在本公开的一方式的基板处理装置中，在从反应容器内搬出了基板支撑件的状态下用盖封闭反应容器的状态(清洁工序时)的纵剖视图。
[0014]图2是表示在向反应容器内搬入了装填有基板的基板支撑件的状态下用密封帽封闭反应容器的状态(成膜工序时)的纵剖视图。
[0015]图3是表示图1中的盖周边的纵剖视图。
[0016]图4是表示反应容器的开口端与盖的抵接面周边的纵剖视图。
[0017]图5是表示封闭反应容器的开口的盖的纵剖视图。
[0018]图6是表示设置于盖的上表面的保护部件的图。
[0019]图7是本公开的一方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用框图表示控制器的控制系统的图。
[0020]图8是表示盖的变形例的纵剖视图。
[0021]图9(A)是表示保护部件的变形例的图，图9(B)是表示图9(A)中的保护部件的端部周边的图，图9(C)是从周向观察图9(B)周边的图，图9(D)是表示图9(A)～图9(C)的变形例的图。
[0022]图中：
[0023]10—基板处理装置，81、91—闸门(盖)，121—控制器(控制部)，200—晶圆(基板)，201—处理室，203—加工处理管，209—歧管，600、800—板材(保护部件)。
具体实施方式
[0024]以下，参照图1～图7进行说明。此外，以下说明中所使用的图均为示意图，图中所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与实际一致。另外，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等在多个图彼此之间也未必一致。
[0025](1)基板处理装置的结构
[0026]图1是表示在本公开的一方式的基板处理装置中，在从反应容器内搬出了基板支撑件的状态下用盖封闭反应容器的状态(清洁工序时)的纵剖视图。图2是表示在向反应容器内搬入了装填有基板的基板支撑件的状态下用密封帽封闭反应容器的状态(成膜工序时)的纵剖视图。
[0027]如图1所示，基板处理装置10具备构筑为长方体的箱形状的箱体11，在箱体11上经由作为支撑板的加热器基座12设置有处理炉202。处理炉202具有作为加热机构(加热单元)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支撑于作为支撑板的加热器基座12而垂直地安装。
[0028]在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有作为反应管的加工处理管203。加工处理管203由作为外部反应管的外管204和设置于其内侧的作为内部反应管的内管205构成。外管204由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为内径比内管205的外径大且上端封闭、下端开口的圆筒形状，并且与内管205设置成同心圆状。
[0029]内管205由例如石英或SiC等耐热性材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。在内管205的筒中空部形成有处理室201，且构成为能够通过后述的晶舟以按照水平姿势在垂直方向上排列多层的状态容纳作为基板的晶圆200。
[0030]在外管204的下方与外管204呈同心圆状地配设有歧管209。歧管209由例如不锈钢等构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209设置为与内管205和外管204卡合，并将它们支撑。通过将歧管209支撑于加热器基座12，加工处理管203成为垂直安装的状态。由加工处理管203和歧管209形成了对晶圆200进行处理的反应容器。此外，在歧管209和外管204之间设置有作为密封部件的O形环。
[0031]在歧管209设置有作为排出处理室201内的气氛的管路的排气管231。排气管231配置于由内管205和外管204的间隙形成的筒状空间206的下端部，且与筒状空间206连通。在
排气管231的作为与歧管209的连接侧的相反侧的下游侧安装有作为压力检测器的压力传感器245、作为排气阀(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller)阀243以及作为真空排气装置的真空泵246，且构成为可以进行真空排气，以使处理室201内的压力成为预定的压力(真空度)。
[0032]APC阀243是如下阀，其构成为，通过在使真空泵246工作的状态下将阀开闭，能够进行处理室201的真空排气及真空排气停止，而且，在使真空泵246工作的状态下，基于由压力传感器245检测到的压力信息调节阀开度，从而能够调整处理室201的压力。主要由排气管231、APC阀243以及压力传感器245构成排气系统。也可以考虑将真空泵246包含于排气系统。
[0033]在歧管209的下方设置有将歧管209的下端开口气密地封闭的作为炉口盖体的密封帽219。如图2所示，密封帽219从垂直方向下侧抵接于歧管209的下端。密封帽219由例如不锈钢等金属构成，形成为圆盘状。在密封帽219的上表面设置有与歧管209的下端(开口端)抵接的作为密封部件的O形环220。
[0034]密封帽219构成为通过垂直设置于加工处理管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115在垂直方向上升降，由此，能够将后述的晶舟相对于处理室201搬入/搬出。
[0035]在密封帽219的与处理室201相反的侧设置有使晶舟旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封帽219并连接于后述的晶舟217，且构成为，通过使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向所述反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭所述反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于所述盖的面向所述反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在所述开口被所述盖封闭的状态下，向所述内部空间供给惰性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖及所述保护部件的至少任一个具备通过第一密封部件将所述盖与所述保护部件之间密封的第一密封部，所述内部空间由被所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面与所述第一密封部包围的空间构成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一密封部沿着所述保护部件的外周，遍及所述盖及所述保护部件的至少任一个的整周而设置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护部件在其外周端具有在所述内部空间与所述反应容器内的空间之间连通的一个或多个贯通孔。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述惰性气体供给系统构成为，经由设置于所述盖的面向所述内部空间的面的第一气体供给口向所述内部空间供给所述惰性气体。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖具备：气体导入口，其设置于面向与所述反应容器的开口端的抵接面的位置；以及气体流路，其使所述气体导入口和所述第一气体供给口以被连通的方式连接，所述反应容器具备设置于面向与所述盖的所述抵接面的位置的第二气体供给口，所述第二气体供给口和所述气体导入口配置成，在所述反应容器的所述开口被封闭的状态下，使所述第二气体供给口和所述气体导入口连通。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖以及所述开口端的至少任一个具备面向所述抵接面且沿着所述盖的外周设置的槽，所述第二气体供给口在所述开口被所述盖封闭的状态下，经由所述槽与所述气体导入口连接。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述盖及所述开口端的至少任一个具备第二密封部，该第二密封部沿着所述盖的外周设置，且在所述开口被所述盖封闭的状态下，通过第二密封部件将所述抵接面之间密封，从所述反应容器的中心观察，所述槽设置于比所述第二密封部靠内侧。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述盖部与所述反应容器的所述开口端之间设置有在所述开口被所述盖封闭的状态使所述槽和所述反应容器内的空间连通的间隙。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述保护部件设置成，在所述开口被所述盖封闭的状态下...

【专利技术属性】
技术研发人员：寿崎健一，池田优真，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：