一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法技术

本申请提供一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，应用于半导体制造技术领域，其中，一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，包括：获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；根据映射曲线，确定腔体覆盖环的尺寸数据；确定尺寸数据后，得到工艺腔体。由于改变腔体覆盖环的尺寸数据，会直接影响到工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率的均匀性，因此通过本说明书实施例提供的技术方案可以有效的改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能，并且，通过改变腔体覆盖环的尺寸的方式可以增大腔体刻速率均匀性的调整范围。刻速率均匀性的调整范围。刻速率均匀性的调整范围。

【技术实现步骤摘要】
一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法。

技术介绍

[0002]对于刻蚀腔体有3个很重要的参数来表征工艺腔体的性能：腔体刻蚀速率、腔体刻蚀速率均匀性和腔体颗粒。
[0003]目前业界对于腔体刻蚀速率均匀性一般都是通过工艺参数调整来改善，比如调整静电吸盘(Electrostatic Chuck，ESC)温度分布，改变工艺气体分布，调节腔体内部高度以及改变离子体分布等手段。
[0004]但是，通过工艺手段比如调整ESC温度分布，改变工艺气体分布，调节腔体体积以及改变离子体分布等手段调节范围有限。
[0005]因此，需要一种新的调整腔体刻蚀速率均匀性的技术方案。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本说明书实施例提供一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，以解决现有技术中由于通过调整工艺参数，比如调整ESC温度分布，改变工艺气体分布，调节腔体体积以及改变离子体分布等工艺手段，来改善腔体刻蚀速率均匀性时，具有的调节范围有限的技术问题。
[0007]本说明书实施例提供以下技术方案：
[0008]本说明书实施例提供一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，包括：
[0009]获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；
[0010]根据所述映射曲线，确定所述腔体覆盖环的尺寸数据；
[0011]确定所述尺寸数据后，得到所述工艺腔体。
[0012]通过上述技术方案，通过根据映射曲线，确定腔体覆盖环的尺寸数据，然后得到所述工艺腔体，由于改变腔体覆盖环的尺寸数据，会直接影响到工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率的均匀性，因此通过本说明书实施例提供的技术方案可以有效的改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能，并且，通过改变腔体覆盖环的尺寸的方式可以增大腔体刻速率均匀性的调整范围。
[0013]在一种可选的实施方式中，所述腔体覆盖环的尺寸参数，包括：宽度和厚度。
[0014]通过上述技术方案，可以获取腔体覆盖环的宽度和厚度与腔体刻蚀速率的均匀性之间的映射曲线后，根据映射曲线确定腔体覆盖环的宽度和厚度，以改善腔体刻蚀速率的均匀性。
[0015]在一种可选的实施方式中，所述腔体覆盖环设置在静电吸盘的外边缘，与所述静
电吸盘连接。
[0016]通过上述技术方案，腔体覆盖环设置在ESC的外边缘，与ESC连接，可以通过调整腔体覆盖环的尺寸，对ESC产生影响，从而可以改善腔体刻蚀速率，提高工艺腔体的性能。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述腔体覆盖环包括第一覆盖环和第二覆盖环；
[0018]所述第二覆盖环设置在所述静电吸盘的外边缘，所述第二覆盖环的内边缘与所述静电吸盘的外边缘连接；
[0019]所述第一覆盖环设置在所述第二覆盖环的外边缘，所述第一覆盖环的内边缘与所述静电吸盘的外边缘连接。
[0020]通过上述技术方案，第二覆盖环设置在第一覆盖环和静电吸盘之间，通过改变第二覆盖环的尺寸，可以对ESC产生影响，从而可以改善腔体刻蚀速率，提高工艺腔体的性能。
[0021]在一种可选的实施方式中，所述工艺腔体，包括：刻蚀腔体。
[0022]通过上述技术方案，工艺腔体可以为刻蚀腔体，改变刻蚀腔体的性能。
[0023]在一种可选的实施方式中，在所述根据所述映射曲线，确定所述腔体覆盖环的尺寸数据之后，还包括：
[0024]获取所述工艺腔体后，调整所述工艺腔体的工艺参数。
[0025]通过上述技术方案，可以将腔体覆盖环的尺寸更改与工艺腔体的工艺参数的调整结合在一起，改善腔体刻蚀速率均匀性，可以进一步增大腔体刻蚀速率均匀性的调整范围。
[0026]在一种可选的实施方式中，所述工艺参数，包括以下至少一种：静电吸盘温度分布、工艺气体分布、所述工艺腔体的内部高度和等离子体分布。
[0027]通过上述技术方案，通过调整静电吸盘温度分布、工艺气体分布、所述工艺腔体的内部高度和等离子体分布中的任意一种或者多种工艺参数，可以实现对于腔体刻蚀速率均匀性的调整，并且与改变腔体覆盖环的尺寸的相结合，可以更加精确的实现对于腔体刻蚀速率均匀性的调整，扩大调整范围，提高工艺腔体的性能。
[0028]在一种可选的实施方式中，所述腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间为线性关系。
[0029]通过上述技术方案，由于腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间为线性关系，所以可以通过线性关系对应的映射曲线，确定需要的腔体覆盖环的尺寸参数，进而改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能。
[0030]在一种可选的实施方式中，通过所述腔体覆盖环的尺寸数据，确定所述工艺腔体的体积。
[0031]通过上述技术方案，通过所述腔体覆盖环的尺寸数据，确定所述工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率均匀性。
[0032]本说明书实施例还提供一种工艺腔体，使用上述的通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法制作。
[0033]与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：通过根据映射曲线，确定腔体覆盖环的尺寸数据，然后得到所述工艺腔体，由于改变腔体覆盖环的尺寸数据，会直接影响到工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率的均匀
性，因此通过本说明书实施例提供的技术方案可以有效的改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能，并且，通过改变腔体覆盖环的尺寸的方式可以增大腔体刻速率均匀性的调整范围。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0035]图1是本申请实施例提供的一种工艺腔体的结构示意图；
[0036]图2是本申请实施例提供的一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法的流程示意图；
[0037]图3是本申请实施例提供的一种腔体覆盖环的宽度与腔体刻蚀速率均匀性之间的实验数据与拟合曲线的示意图；
[0038]图4是本申请实施例提供的一种腔体覆盖环的结构示意图；
[0039]图5是本申请实施例提供的一种工艺腔体的部件尺寸调整前的结构示意图；
[0040]图6是本申请实施例提供的一种工艺腔体的部件尺寸调整后的结构示意图。
[0041]附图标记
[0042]1‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，其特征在于，包括：获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；根据所述映射曲线，确定所述腔体覆盖环的尺寸数据；确定所述尺寸数据后，得到所述工艺腔体。2.根据权利要求1所述的通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，其特征在于，所述腔体覆盖环的尺寸参数，包括：宽度和厚度。3.根据权利要求1所述的通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，其特征在于，所述腔体覆盖环设置在静电吸盘的外边缘，与所述静电吸盘连接。4.根据权利要求3所述的通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，其特征在于，所述腔体覆盖环包括第一覆盖环和第二覆盖环；所述第二覆盖环设置在所述静电吸盘的外边缘，所述第二覆盖环的内边缘与所述静电吸盘的外边缘连接；所述第一覆盖环设置在所述第二覆盖环的外边缘，所述第一覆盖环的内边缘与所述静电吸盘的外边缘连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄望超，沈显青，王海南，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：