一种等离子体处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种等离子体处理设备，包括：反应腔；基座，设置于所述反应腔的内部，用于承载晶圆；喷淋头，设置于所述反应腔的内部顶部，与所述基座相对设置；所述喷淋头用于将工艺气体通入所述喷淋头与所述基座之间的反应区域，以形成等离子体对晶圆进行刻蚀；内衬，环绕所述反应区域设置，用于使等离子体不与所述反应腔的内侧壁接触；加热器，用于加热所述内衬；以及移动环，其设置于所述内衬与所述喷淋头之间，可沿垂直于晶圆表面的方向上下移动；且所述移动环可被所述内衬辐射加热，以减少工艺气体在所述移动环上沉积形成聚合物。此外，等离子体约束环同样可被内衬辐射加热，以减少工艺气体在等离子体约束环上沉积形成聚合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理设备


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种等离子体处理设备。

技术介绍

[0002]在等离子体处理设备中，通入反应腔的工艺气体会被电离为等离子体，对晶圆表面进行刻蚀处理。然而，工艺气体、产生等离子过程中的反应副产物以及等离子体刻蚀后的反应副产物很容易形成聚合物，并沉积在温度较低的部件(例如移动环)表面。当聚合物达到一定厚度时，会溅落并引入颗粒杂质造成晶圆表面污染，影响晶圆边缘的刻蚀均匀性和稳定性，降低晶圆的制备良率。因此，有必要对温度较低部件表面沉积的聚合物进行及时清理。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种等离子体处理设备，通过加热器对内衬进行加热时，移动环能够被内衬辐射加热，从而减少工艺气体及反应副产物在移动环上沉积形成聚合物。
[0004]为了达到上述目的，本技术通过以下技术方案实现：
[0005]一种等离子体处理设备，包括：
[0006]反应腔；
[0007]基座，设置于所述反应腔的内部，用于承载晶圆；
[0008]喷淋头，设置于所述反应腔的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：反应腔；基座，设置于所述反应腔的内部，用于承载晶圆；喷淋头，设置于所述反应腔的内部顶部，与所述基座相对设置；所述喷淋头用于将工艺气体通入所述喷淋头与所述基座之间的反应区域，以形成等离子体对晶圆进行刻蚀；内衬，环绕所述反应区域设置，用于使等离子体不与所述反应腔的内侧壁接触；加热器，用于加热所述内衬；以及移动环，其设置于所述内衬与所述喷淋头之间，可沿垂直于晶圆表面的方向上下移动；且所述移动环可被所述内衬辐射加热，以减少工艺气体在所述移动环上沉积形成聚合物。2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：等离子体约束环，位于所述基座和所述内衬之间，环绕所述基座设置；且所述等离子体约束环可被所述内衬辐射加热，以减少工艺气体在所述等离子体约束环上沉积形成聚合物。3.如权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述反应腔包括：腔体和设置于所述腔体顶部的顶盖；所述内衬包括：保护部，其包括相对的顶端和底端；沿所述保护部顶端的径向向远离所述基座方向延伸的外沿；以及沿所述保护部底端的径向向靠近所述基座方向延伸的内沿；且所述保护部环绕所述反应区域设置，所述外沿固定于所述腔体的顶部并与所述顶盖接触，所述内沿位于所述等离子体约束环的下方。4.如权利要求3所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述加热器设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，徐朝阳，王智昊，王凯麟，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：