磨损补偿约束环制造技术

一种用于等离子体处理室的约束环包括下水平部分、竖直部分和上水平部分。所述下水平部分在所述约束环的内下半径和外半径之间延伸，并且包括在所述内下半径处竖直向下延伸的延伸部分。多个槽限定在所述下水平部分中，其中每个槽沿所述下水平部分由内径径向延伸到外径。每个槽在所述内径处的内槽半径被限定成小于所述外径处的外槽半径。所述上水平部分在所述约束环的内上半径和所述外半径之间延伸，并且所述竖直部分在所述约束环的所述外半径处使所述下水平部分一体延续到上水平部分。处使所述下水平部分一体延续到上水平部分。处使所述下水平部分一体延续到上水平部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磨损补偿约束环


[0001]本专利技术涉及用于半导体处理模块的约束环。

技术介绍

[0002]在半导体处理中，衬底经历各种操作以形成限定集成电路的特征结构。例如，对于沉积操作而言，衬底被接收到处理室中，并且根据待形成的特征结构的类型，将特定类型的反应气体供应到该室并施加射频功率以产生等离子体。衬底被接收在限定于下电极上的衬底支撑件上，诸如静电卡盘。上电极，诸如喷头，用于将特定类型的反应气体提供到处理室中。通过相应的匹配网络将射频功率施加到反应气体以产生等离子体，该等离子体用于在衬底的表面上选择性沉积离子以形成微观特征结构。反应气体产生副产物，诸如颗粒和气体等，这些副产物需要从等离子体室中迅速去除，以便保持形成在该基板表面上的微观特征结构的完整性。
[0003]为了将产生的等离子体约束在工艺区域内，一组约束环被限定成围绕工艺区域。此外，为了改善收率并确保大部分等离子体位于被接收用于处理的衬底上，围绕该等离子体区域的约束环可被设计成延伸处理区域，以便当被接收用于处理时，不仅覆盖衬底上方的区域而且还覆盖边缘环上方的区域，该边缘环被设置成围绕衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种约束环，其包括：在所述约束环的内下半径和外半径之间延伸的下水平部分，所述下水平部分包括在所述内下半径处竖直向下延伸的延伸部分，并且所述下水平部分还包括多个槽，其中每个槽沿所述下水平部分从内径径向延伸到外径，每个槽在所述内径处的内槽半径小于每个槽在所述外径处的外槽半径；在所述约束环的内上半径和所述外径之间延伸的上水平部分；以及在所述约束环的所述外径处使所述下水平部分一体持续到所述上水平部分的竖直部分。2.根据权利要求1所述的约束环，其中每个槽的所述内槽半径和所述外槽半径的差异限定了槽锥度，使得每个槽从所述外径到所述内径逐渐变窄，其中影响所述槽锥度的所述内槽半径和所述槽外半径的尺寸被设定为所述槽的所述相应内径和所述外径处的磨损率的倒数。3.根据权利要求1所述的约束环，其中所述内上半径大于内下半径。4.根据权利要求1所述的约束环，其中台阶限定在所述上水平延伸部的顶表面上靠近所述内上半径，所述台阶从所述顶表面向下并朝向所述约束环的所述内上半径向外延伸。5.根据权利要求1所述的约束环，其中所述内径大于由所述内下半径限定的内环直径，并且所述外径小于由所述约束环的所述外半径限定的外环直径。6.根据权利要求1所述的约束环，其中每个槽的长度被限定为介于约1.85英寸和约4.35英寸之间。7.根据权利要求1所述的约束环，其中所述上水平部分的顶表面包括多个孔，所述多个孔中的每个孔被配置成接收用于将所述约束环固定到等离子处理室的上电极的紧固件装置的一部分。8.根据权利要求1所述的约束环，其中所述下水平部分的延伸部分被配置为搁置在限定于等离子体处理室的下电极的顶表面上的射频垫圈上。9.根据权利要求1所述的约束环，其中所述下水平部分、竖直部分和上水平部分限定C形结构，以用于约束在等离子体处理室中产生的等离子体。10.根据权利要求1所述的约束环，其中所述内槽半径与所述外槽半径的比率介于约1:1.1和1:1.5之间。11.一种用于将等离子体约束在等离子体处理室内的装置，所述等离子体处理室包括用于支撑衬底的下电极和设置在所述下电极上方的上电极，所述装置包括：约束环，所述约束环包括：在所述约束环的内下半径和外半径之间延伸的下水平部分，所述下水平部分包括在所述内下半径处竖直向下延伸的延伸部分，所述下水平部分包括多个槽，其中每个槽沿所述下水平部分从内径径向延伸到外径，每个槽在所述内径处的内槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚当，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：